[發明專利]SAB工藝器件的制作方法及SAB工藝器件

無效

• 申請號: 201010100504.2
• 申請日: 2010-01-25
• 公開（公告）號: CN102136421A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 陳琛;左燕麗;徐丹;孫庭輝
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發明涉及一種半導體器件的制作方法，尤其是一種SAB工藝器件的制作方法。本發明還涉及一種半導體器件，尤其是一種SAB工藝器件。

背景技術

在電路中，常常會用到有自對準的金屬硅化物(Salicide)和無自對準的金屬硅化物(Salicide)兩種器件，因此要用到金屬硅化物阻擋層(SAB)工藝。現有工藝采用四乙氧基硅烷(TEOS)與氧氣(O₂)形成的氧化膜作為SAB膜，通過光刻和干刻來形成SAB區，但是在對SAB膜進行光刻和刻蝕的過程中，會對刻蝕掉SAB膜部分的側墻(spacer)造成影響，使得有SAB膜的側墻的形貌很難與沒有SAB膜(non-SAB工藝)一致，如圖1所示，從而導致側墻往往不均勻，使后續有源區的salicide形成不夠。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種SAB工藝器件的制作方法，以及采用這種一種SAB工藝器件的制作方法制作的SAB工藝器件，能夠采用簡單易行的步驟，使得SAB工藝器件中的側墻形貌非常均勻，以保證后續工藝的順利進行。

為解決上述技術問題，本發明SAB工藝器件的制作方法的技術方案是，在MOS器件柵極側墻制作完成以及源漏區形成后，依次進行：

在器件表面淀積一層氮化硅層；

然后在氮化硅層上面淀積一層SAB膜；

在器件表面涂布光刻膠，通過曝光保留部分MOS器件結構上的光刻膠；

先后刻蝕掉未覆蓋光刻膠的SAB膜和氮化硅層；

去除剩余的光刻膠，以常規步驟完成后續工藝。

本發明還提供了一種采用上述SAB工藝器件的制作方法制作的SAB工藝器件，其技術方案是，包括并排排列的多個晶體管結構，其中部分晶體管結構上方覆蓋有SAB膜，在所述SAB膜與其所覆蓋的晶體管結構之間還有一層氮化硅層。

本發明通過在SAB膜下多加一層氮化硅層，其步驟簡單易行，消除了SAB膜刻蝕對側墻造成的影響，使得SAB工藝器件中的側墻形貌非常均勻，保證了后續工藝的順利進行。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細的說明：

圖1為現有的SAB工藝器件的結構示意圖；

圖2～圖8為本發明SAB工藝器件的制作方法各步驟的示意圖。

具體實施方式

本發明公開了一種SAB工藝器件的制作方法，在如圖2所示的MOS器件柵極側墻制作完成以及源漏區形成后，依次進行：

在器件表面淀積一層氮化硅層，如圖3所示；

然后在氮化硅層上面淀積一層SAB膜，如圖4所示；

在器件表面涂布光刻膠，通過曝光保留部分MOS器件結構上的光刻膠，如圖5所示；

先后刻蝕掉未覆蓋光刻膠的SAB膜和氮化硅層，如圖6和圖7所示；

去除剩余的光刻膠，如圖8所示，以常規步驟完成后續工藝。

所述氮化硅層的厚度為80～

所述SAB膜采用TEOS，其厚度為400～

采用濕法刻蝕去除未覆蓋光刻膠的SAB膜。

采用干法刻蝕去除未覆蓋光刻膠的氮化硅層。

本發明還公開了一種采用上述SAB工藝器件的制作方法得到的SAB工藝器件，如圖8所示，包括并排排列的多個晶體管結構，其中部分晶體管結構上方覆蓋有SAB膜，在所述SAB膜與其所覆蓋的晶體管結構之間還有一層氮化硅層。

本發明通過在SAB膜下多加一層氮化硅層，在對SAB膜進行刻蝕的時候，氮化硅層可以起到隔離作用，保護了下面的側墻不會受到SAB膜刻蝕的影響。本發明步驟簡單易行，消除了SAB膜刻蝕對側墻造成的影響，使得SAB工藝器件中的側墻形貌非常均勻，保證了后續工藝的順利進行。