[發明專利]SAB工藝器件的制作方法及SAB工藝器件

無效

• 申請號: 201010100504.2
• 申請日: 2010-01-25
• 公開（公告）號: CN102136421A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 陳琛;左燕麗;徐丹;孫庭輝
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，在MOS器件柵極側墻制作完成以及源漏區形成后，依次進行：

在器件表面淀積一層氮化硅層；

然后在氮化硅層上面淀積一層SAB膜；

在器件表面涂布光刻膠，通過曝光保留部分MOS器件結構上的光刻膠；

先后刻蝕掉未覆蓋光刻膠的SAB膜和氮化硅層；

去除剩余的光刻膠，以常規步驟完成后續工藝。

2.根據權利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為80～

3.根據權利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，所述SAB膜采用TEOS，其厚度為400～

4.根據權利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，采用濕法刻蝕去除未覆蓋光刻膠的SAB膜。

5.根據權利要求1所述的SAB工藝器件的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除未覆蓋光刻膠的氮化硅層。

6.一種采用如權利要求1～5中任意一項所述的SAB工藝器件的制作方法得到的SAB工藝器件，其特征在于，包括并排排列的多個晶體管結構，其中部分晶體管結構上方覆蓋有SAB膜，在所述SAB膜與其所覆蓋的晶體管結構之間還有一層氮化硅層。