[發明專利]EEPROM器件的制作方法

有效

• 申請號: 201010100501.9
• 申請日: 2010-01-25
• 公開（公告）號: CN102136481A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 陳昊瑜
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發明涉及一種半導體存儲器的制作方法，尤其是一種EEPROM器件的制作方法。

背景技術

在嵌入式EEPROM工藝中，需要多種器件實現各種功能：在0.18um工藝中，1.8V作為邏輯器件，5V作為輸入輸出端口器件，18V作為實現EEPROM操作的高壓器件。集成不同電壓的器件和EEPROM存儲器件是嵌入式存儲器工藝的重大挑戰。

傳統的嵌入式EEPROM工藝，高低壓井注入利用同一犧牲氧化層。犧牲氧化層在井注入結束后去除，然后分別生長高壓柵氧，形成隧穿窗口、浮柵以及ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)介質層，最后形成邏輯低壓器件的柵氧化層。這種方式會使低壓器件的溝道注入受到高壓柵氧生長的影響而耗盡，導致低壓器件的閾值電壓難以調節，最終使得器件失效。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種EEPROM器件的制作方法，能夠采用簡單便捷的步驟，避免EEPROM器件的制作工藝中高壓井注入和低壓井注入相互之間的影響，提高器件的可靠性。

為解決上述技術問題，本發明EEPROM器件的制作方法的技術方案是，其中依次包括有如下步驟：

首先，生長一層高壓井注入的犧牲氧化層，形成高壓井注入；

然后，去除該犧牲氧化層，生長高壓柵氧化層、形成隧穿窗口；

之后，淀積浮柵，在邏輯區刻蝕掉浮柵，再淀積ONO介質層，在邏輯區刻蝕掉ONO介質層的位于上面的氧化硅層和中間的氮化硅層，留下的底層的氧化硅層；

最后，將邏輯區未刻蝕掉的ONO介質層中的位于底層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，形成低壓井注入，并制作低壓器件。

本發明通過上述方法，將高低壓井注入放在高壓柵氧生長后進行，避免了低壓器件的溝道注入受到高壓柵氧生長的影響而耗盡，從而增強了低壓器件的閾值電壓可調節性，并且直接采用ONO介質層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，簡化了工藝步驟。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步詳細的說明：

圖1為本發明中生長高壓井注入的犧牲氧化層的示意圖；

圖2為本發明中生長高壓柵氧化層、形成隧穿窗口的示意圖；

圖3為本發明中淀積ONO介質層之后的示意圖；

圖4為本發明中對ONO介質層進行刻蝕之后的示意圖；

圖5為本發明中生長5V柵氧化層的示意圖。

具體實施方式

本發明提供了一種EEPROM器件的制作方法，如圖1～圖5所示，其中依次包括有如下步驟：

首先，生長一層高壓井注入的犧牲氧化層，形成高壓井注入；

然后，去除該犧牲氧化層，生長高壓柵氧化層、形成隧穿窗口；

之后，淀積浮柵，在邏輯區刻蝕掉浮柵，再淀積ONO介質層，在邏輯區刻蝕掉ONO介質層的位于上面的氧化硅層和中間的氮化硅層，留下的底層的氧化硅層；

最后，將邏輯區未刻蝕掉的ONO介質層中的位于底層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，形成低壓井注入，并制作低壓器件。

所述高壓井注入的犧牲氧化層的厚度為

所述高壓柵氧化層的厚度為

所述浮柵的厚度為

本發明通過上述方法，將高低壓井注入放在高壓柵氧生長后進行，避免了低壓器件的溝道注入受到高壓柵氧生長的影響而耗盡，從而增強了低壓器件的閾值電壓可調節性，并且直接采用ONO介質層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，簡化了工藝步驟。