[發(fā)明專(zhuān)利]EEPROM器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010100501.9
• 申請(qǐng)日: 2010-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102136481A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳昊瑜
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/115
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/115;H01L29/423;H01L29/788;H01L21/8247;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種EEPROM器件的制作方法，其特征在于，其中依次包括有如下步驟：

首先，生長(zhǎng)一層高壓井注入的犧牲氧化層，形成高壓井注入；

然后，去除該犧牲氧化層，生長(zhǎng)高壓柵氧化層、形成隧穿窗口；

之后，淀積浮柵，在邏輯區(qū)刻蝕掉浮柵，再淀積ONO介質(zhì)層，在邏輯區(qū)刻蝕掉ONO介質(zhì)層的位于上層的氧化硅層和中間的氮化硅層，留下的底層的氧化硅層；

最后，將邏輯區(qū)未刻蝕掉的ONO介質(zhì)層中的位于底層的氧化硅層作為低壓井注入的犧牲氧化層，形成低壓井注入，并制作低壓器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述高壓井注入的犧牲氧化層的厚度為

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述高壓柵氧化層的厚度為

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM器件的制作方法，其特征在于，所述浮柵的厚度為