[發(fā)明專(zhuān)利]集成電路上的金屬薄膜電阻及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010100492.3
• 申請(qǐng)日: 2010-01-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102136473A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭虎
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/00;H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種集成電路上的金屬薄膜電阻，本發(fā)明還涉及一種集成電路上的金屬薄膜電阻的制作方法。

背景技術(shù)

金屬薄膜電阻材料如鉻硅、鎳鉻通過(guò)直流濺射或射頻濺射淀積到介質(zhì)層上，通過(guò)光刻和刻蝕形成金屬薄膜電阻。金屬薄膜電阻具有較高的方塊電阻和非常好的電阻溫度系數(shù)經(jīng)常應(yīng)用于一些特殊的集成電路中。現(xiàn)有金屬薄膜電阻制作工藝中，先在介質(zhì)層上濺射淀積一層金屬薄膜電阻材料，然后通過(guò)光刻和刻蝕形成電阻圖形，以鉻硅(SiCr)作為金屬薄膜電阻材料為例，如圖1所示。淀積一層鋁后通過(guò)光刻和刻蝕在鉻硅形成接觸電極，如圖2所示。介質(zhì)層淀積后進(jìn)行通孔刻蝕及后續(xù)金屬工藝，如圖3所示。現(xiàn)有工藝中都是單獨(dú)進(jìn)行金屬薄膜電阻的制作，其中需要通過(guò)兩次光刻工藝，工藝較復(fù)雜，在電阻圖形成后的后續(xù)工藝對(duì)電阻有一定影響，導(dǎo)致波動(dòng)較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種集成電路上的金屬薄膜電阻及其制作方法，能夠簡(jiǎn)化集成電路上金屬薄膜電阻的制作工藝，從而降低生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)效率。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明集成電路上的金屬薄膜電阻的技術(shù)方案是，所述集成電路上還包括有金屬電容，所述金屬電容包括下層電極、中間層的介質(zhì)層和上層電極，所述金屬薄膜電阻包括兩個(gè)相互分離的端部電極，所述端部電極的材料與所述金屬電容的上層電極相同，所述端部電極上面鋪有經(jīng)過(guò)光刻和刻蝕的電阻層，所述電阻層上鋪有隔離層，所述端部電極向上通過(guò)通孔被引出。

本發(fā)明還提供了一種上述集成電路上金屬薄膜電阻的制作方法，其技術(shù)方案是，先制作集成電路上的金屬電容，在制作所述金屬電容的上層電極的同時(shí)制作所述金屬薄膜電阻的端部電極，之后在所述金屬薄膜電阻的端部電極上制作一層電阻介質(zhì)，并對(duì)該電阻介質(zhì)層進(jìn)行光刻和刻蝕得到電阻層，然后在電阻層上面制作隔離層，最后，與金屬電容同步制作通孔，將金屬電容的下層電極、上層電極以及金屬薄膜電阻的端部電極引出。

本發(fā)明將集成電路上金屬薄膜電阻的制作過(guò)程與金屬電容的制作過(guò)程結(jié)合在一起，在金屬電容的制作過(guò)程中加入一次光刻和刻蝕完成金屬薄膜電阻制作，簡(jiǎn)化了工藝過(guò)程，提高了生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1～圖3為現(xiàn)有的集成電路上的金屬薄膜電阻的制作方法各步驟的示意圖；

圖4為本發(fā)明集成電路上的金屬薄膜電阻的結(jié)構(gòu)示意圖

圖5～圖7為本發(fā)明集成電路上的金屬薄膜電阻的制作方法各步驟的示意圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路上的金屬薄膜電阻，如圖4所示，所述集成電路上還包括有金屬電容，所述金屬電容包括下層電極、中間層的介質(zhì)層和上層電極，所述金屬薄膜電阻包括兩個(gè)相互分離的端部電極，所述端部電極的材料與所述金屬電容的上層電極相同，所述端部電極上面鋪有經(jīng)過(guò)光刻和刻蝕的電阻層，所述電阻層上鋪有隔離層，所述端部電極向上通過(guò)通孔被引出。

所述金屬電容的上層電極和金屬薄膜電阻的端部電極的材料為多晶硅、硅化鈦、氮化鈦、硅化鎢、鋁、銅、鈦中的一種。

所述金屬薄膜電阻的電阻層材料為鉻硅、鉻硅碳、鎳鉻中的一種。

所述金屬電容的下層電極為鋁，中間介質(zhì)層為氮化硅。

所述電阻層的厚度小于

所述隔離層為二氧化硅，或者為氮化硅。

本發(fā)明還公開(kāi)了一種上述集成電路上的金屬薄膜電阻的制作方法，先制作集成電路上的金屬電容，在制作所述金屬電容的上層電極的同時(shí)制作所述金屬薄膜電阻的端部電極，如圖5所示，其中以金屬電容上層電極采用氮化鈦為例，所述金屬薄膜電阻的端部電極也是氮化鈦；之后在所述金屬薄膜電阻的端部電極上淀積一層電阻介質(zhì)，并對(duì)該電阻介質(zhì)層進(jìn)行光刻和刻蝕得到電阻層，如圖6所示，在本實(shí)施例中電阻介質(zhì)采用鉻硅；然后在電阻層上面制作隔離層，最后，與金屬電容同步制作通孔，將金屬電容的下層電極、上層電極以及金屬薄膜電阻的端部電極引出如圖7所示，得到最后同時(shí)帶有金屬電容和金屬薄膜電阻的集成電路結(jié)構(gòu)。

制作所述電阻介質(zhì)的方法采用直流濺射，或者采用射頻濺射。

本發(fā)明先制作接觸電極，可以與金屬電容，局部互連線等工藝集成，降低工藝復(fù)雜程度，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率，在金屬薄膜材料淀積后覆蓋一層介質(zhì)層作為保護(hù)，減少后續(xù)工藝對(duì)電阻影響，提高電阻精度。