[發明專利]集成電路上的金屬薄膜電阻及其制作方法

無效

• 申請號: 201010100492.3
• 申請日: 2010-01-25
• 公開（公告）號: CN102136473A
• 公開（公告）日: 2011-07-27
• 發明（設計）人: 彭虎
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/00
• 分類號: H01L27/00;H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種集成電路上的金屬薄膜電阻，所述集成電路上還包括有金屬電容，所述金屬電容包括下層電極、中間層的介質層和上層電極，其特征在于，所述金屬薄膜電阻包括兩個相互分離的端部電極，所述端部電極的材料與所述金屬電容的上層電極相同，所述端部電極上面鋪有經過光刻和刻蝕的電阻層，所述電阻層上鋪有隔離層，所述端部電極向上通過通孔被引出。

2.根據權利要求1所述的集成電路上的金屬薄膜電阻，其特征在于，所述金屬電容的上層電極和金屬薄膜電阻的端部電極的材料為多晶硅、硅化鈦、氮化鈦、硅化鎢、鋁、銅、鈦中的一種。

3.根據權利要求1所述的集成電路上的金屬薄膜電阻，其特征在于，所述金屬薄膜電阻的電阻層材料為鉻硅、鉻硅碳、鎳鉻中的一種。

4.根據權利要求1所述的集成電路上的金屬薄膜電阻，其特征在于，所述金屬電容的下層電極為鋁，中間介質層為氮化硅。

5.根據權利要求1所述的集成電路上的金屬薄膜電阻，其特征在于，所述電阻層的厚度小于

6.根據權利要求1所述的集成電路上的金屬薄膜電阻，其特征在于，所述隔離層為二氧化硅，或者為氮化硅。

7.一種如權利要求1～6中任意一項所述的集成電路上的金屬薄膜電阻的制作方法，其特征在于，先制作集成電路上的金屬電容，在制作所述金屬電容的上層電極的同時制作所述金屬薄膜電阻的端部電極，之后在所述金屬薄膜電阻的端部電極上制作一層電阻介質，并對該電阻介質層進行光刻和刻蝕得到電阻層，然后在電阻層上面制作隔離層，最后，與金屬電容同步制作通孔，將金屬電容的下層電極、上層電極以及金屬薄膜電阻的端部電極引出。

8.根據權利要求7所述的集成電路上的金屬薄膜電阻的制作方法，其特征在于，制作所述電阻介質的方法采用直流濺射，或者采用射頻濺射。