[發(fā)明專利]發(fā)光元件的缺陷檢測方法及系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010004590.7
• 申請日: 2010-01-19
• 公開（公告）號: CN102128816A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 歐震;徐宸科;陳俊昌;蘇文正;郭端祥
• 申請（專利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: G01N21/64
• 分類號: G01N21/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種檢測方法及系統(tǒng)，更具體地說，涉及一種發(fā)光元件的缺陷檢測方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管晶粒的制程大致可區(qū)分為磊晶階段、黃光顯影階段、以及切割等三大步驟，而上述三階段的制程優(yōu)劣對發(fā)光二極管晶粒的良率影響甚巨。舉例而言，在形成磊晶的過程中，由于成長基板與用以成長磊晶的材料間的晶格常數(shù)及膨脹系數(shù)有差異，因此必須于成長基板上先形成一緩沖層，再于緩沖層上接續(xù)成長諸如n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、p型半導(dǎo)體層等磊晶層。然而若緩沖層厚度及形成的工作溫度控制不當(dāng)，易使成長基板與磊晶層間產(chǎn)生的應(yīng)力過大，或成長基板的結(jié)晶性無法有效的傳到磊晶層，進(jìn)而造成磊晶層的崩壞。黃光顯影制程中所發(fā)生的缺失則與發(fā)光二極管晶粒表面的缺陷較為相關(guān)，例如在覆蓋光阻-曝光-顯影-蝕刻-去除光阻以使n型半導(dǎo)體層外露的過程中可能會發(fā)生諸如光阻涂覆問題、對焦與曝光缺陷、顯影缺陷、修邊問題、污染以及刮痕而導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生。而在后續(xù)形成金屬電極時常見的缺陷則有金屬殘留；而形成以ITO為材料的透明電極時，亦常出現(xiàn)ITO破損的現(xiàn)象。切割制程中所發(fā)生常見的缺失的則有切割不當(dāng)。

用可見光照射發(fā)光二極管晶粒以將缺陷顯示出為目前較常見的檢測方式，然而可見光在發(fā)光二極管晶粒表面會產(chǎn)生散射及反射，而導(dǎo)致一些較微小的缺陷在可見光的照射下經(jīng)常無法被顯示出或是顯示得不夠清楚，而磊晶層內(nèi)部的缺陷亦難以藉此顯現(xiàn)。

再者，目前有些發(fā)光二極管晶粒會先將磊晶表面粗化后再鍍上膜狀的ITO以同時增加光輸出效率及電流分布，而磊晶表面的缺陷或ITO的破損經(jīng)常因粗化的結(jié)構(gòu)而更無法被可見光照射而顯示出來。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一目的在于提供一種發(fā)光元件的缺陷檢測方法及系統(tǒng)，以檢測出發(fā)光元件的缺陷。

為達(dá)以上目的，本發(fā)明揭示一種發(fā)光元件的缺陷檢測方法，其步驟包括：提供一待測發(fā)光元件；利用一能階大于待測發(fā)光元件的檢測光源照射待測發(fā)光元件，以使待測發(fā)光元件發(fā)出螢光；以及通過待測發(fā)光元件所發(fā)出的螢光判斷出待測發(fā)光元件是否有缺陷，如果待測發(fā)光元件具有至少一缺陷時，缺陷位于發(fā)光元件的位置及缺陷的形狀或大小等便會被螢光照射而顯示出來。

為達(dá)以上目的，本發(fā)明亦揭示一種發(fā)光元件的缺陷檢測系統(tǒng)，應(yīng)用于檢測一待測發(fā)光元件，包括：一承載體，用以承載待測發(fā)光元件；一光源發(fā)射單元，用以向待測發(fā)光元件發(fā)射檢測光源，其能階高于待測發(fā)光元件的能階，以使待測發(fā)光元件發(fā)出螢光。；一判斷模塊，用以判斷待測發(fā)光元件是否有缺陷，如果待測發(fā)光元件具有至少一缺陷時，缺陷位于待測發(fā)光元件的位置及缺陷的形狀或大小等便會受螢光的照射而顯示出。

通過檢測光源激發(fā)待測發(fā)光元件發(fā)出螢光，可清楚地顯示出待測發(fā)光元件內(nèi)外所有的缺陷以藉此篩選出不良品，而缺陷的分布位置、大小、及形狀也可清楚地被判別出。

而在進(jìn)行多次檢測后，更可通過各缺陷所顯示出的特征歸納出各缺陷的成因，進(jìn)而據(jù)此檢討產(chǎn)線上的缺失，以提升產(chǎn)品良率。

附圖說明

圖1A是本發(fā)明發(fā)光元件的缺陷檢測系統(tǒng)的示意圖；

圖1B是本發(fā)明發(fā)光元件的缺陷檢測系統(tǒng)的局部示意圖；

圖2是本發(fā)明發(fā)光元件的缺陷檢測系統(tǒng)應(yīng)用于一待測發(fā)光元件的俯視示意圖；以及

圖3是本發(fā)明發(fā)光元件的缺陷檢測方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。本發(fā)明也可通過其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可基于不同的觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。

請參閱圖1A，其是本發(fā)明發(fā)光元件的缺陷檢測系統(tǒng)的一具體實(shí)施例示意圖，本發(fā)明的缺陷檢測系統(tǒng)100可包括一承載體101、一光源發(fā)射單元102、以及一判斷模塊103。可將至少一待測發(fā)光元件200置放于承載體101上，接著啟動光源發(fā)射單元102向待測發(fā)光元件200發(fā)射檢測光源L。檢測光源L的能階高于待測發(fā)光元件200，因此當(dāng)檢測光源L照射在待測發(fā)光元件200上時，待測發(fā)光元件200便會受激發(fā)而發(fā)出螢光，如果待測發(fā)光元件200本身具有缺陷，缺陷的輪廓便會在螢光的照射下顯現(xiàn)出來。