[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)方法及系統(tǒng)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010004590.7
• 申請(qǐng)日: 2010-01-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102128816A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 歐震;徐宸科;陳俊昌;蘇文正;郭端祥
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N21/64
• 分類(lèi)號(hào): G01N21/64
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 史新宏

1.一種發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，應(yīng)用于檢測(cè)至少一待測(cè)發(fā)光元件，包括：

一承載體，用以承載該待測(cè)發(fā)光元件；

一光源發(fā)射單元，用以向該待測(cè)發(fā)光元件發(fā)射高于該待測(cè)發(fā)光元件的能階的檢測(cè)光源，以使該待測(cè)發(fā)光元件發(fā)出螢光；以及

一判斷模塊，用以判斷該待測(cè)發(fā)光元件是否有缺陷，當(dāng)該待測(cè)發(fā)光元件具有至少一缺陷時(shí)，該缺陷便會(huì)受螢光的照射而顯示出來(lái)。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，其中當(dāng)該待測(cè)發(fā)光元件為氮化物發(fā)光元件時(shí)，該檢測(cè)光源發(fā)出不可見(jiàn)光，包括有氙燈(Xeonlamp)、紫外光發(fā)光二極管(UV?LED)、或紫外光雷射(UV?laser)；當(dāng)該待測(cè)發(fā)光元件為四元(AlGaInP)發(fā)光元件時(shí)，該檢測(cè)光源是一不可見(jiàn)光，包括氙燈(Xeon?lamp)、紫外光發(fā)光二極管(UV?LED)、或紫外光雷射(UVlaser)、或?yàn)橐豢梢?jiàn)光。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，還包括至少一圖像擷取單元用以擷取該待測(cè)發(fā)光元件受激發(fā)而發(fā)出螢光時(shí)的圖像，該圖像擷取單元且與該判斷模塊耦接，以將所擷取的該圖像傳送至該判斷模塊作判斷。

4.如權(quán)利要求1或3所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，其中該判斷模塊包括：一位置判斷單元，用以確認(rèn)出該待測(cè)發(fā)光元件的缺陷位置；和/或一特征辨識(shí)單元，用以辨別該待測(cè)發(fā)光元件的缺陷形成的區(qū)域的形狀及大小。

5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，其中該圖像擷取單元具有一鏡頭，且還包括一濾鏡設(shè)于該鏡頭及該待測(cè)元件間。

6.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)系統(tǒng)，其供檢測(cè)多個(gè)待測(cè)發(fā)光元件，其中該圖像擷取單元并供定義出各該待測(cè)元件的坐標(biāo)信息，且還包括一篩選單元其耦接于該判斷模塊以根據(jù)該坐標(biāo)信息將具有缺陷的該發(fā)光元件篩選出。

7.一種發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)方法，其步驟包括：

提供多個(gè)待測(cè)發(fā)光元件；

利用一檢測(cè)光源照射這些待測(cè)發(fā)光元件，該檢測(cè)光源的能階系大于這些待測(cè)發(fā)光元件的能階，以令這些待測(cè)發(fā)光元件發(fā)出螢光；

擷取這些待測(cè)發(fā)光元件發(fā)出螢光的圖像，并定義出各該待測(cè)發(fā)光元件的坐標(biāo)信息；

確認(rèn)在螢光照射下是否有至少一該待測(cè)發(fā)光元件顯示出缺陷；以及

篩選出具有缺陷的至少一該待測(cè)發(fā)光元件。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)方法，其中當(dāng)該待測(cè)發(fā)光元件為氮化物發(fā)光元件時(shí)，該檢測(cè)光源發(fā)出不可見(jiàn)光，包括氙燈(Xeonlamp)、紫外光發(fā)光二極管(UV?LED)、或紫外光雷射(UV?laser)；當(dāng)該待測(cè)發(fā)光元件為四元(AlGaInP)發(fā)光元件時(shí)，該檢測(cè)光源是一不可見(jiàn)光，包括有氙燈(Xeon?lamp)、紫外光發(fā)光二極管(UV?LED)、或紫外光雷射(UVlaser)、或?yàn)橐豢梢?jiàn)光。

9.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)方法，其中該檢測(cè)光源由不可見(jiàn)光及可見(jiàn)光所合成。

10.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件的缺陷檢測(cè)方法，還包括于確認(rèn)是否有至少一該待測(cè)發(fā)光元件具有缺陷同時(shí)，判斷出各該待測(cè)發(fā)光元件所具缺陷的位置分布、和/或各該待測(cè)發(fā)光元件所具缺陷的形狀及大小。