[發(fā)明專利]發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010004434.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-01-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101840978A | 公開(kāi)（公告）日： | 2010-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金鮮京;宋炫暾;李鎮(zhèn)旭 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;王春偉 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；
在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上的第一光子晶體結(jié)構(gòu)；
在所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)上的下部密封物；和
在所述下部密封物上的第二光子晶體結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)和所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)包括具有預(yù)定納米圖案周期的多個(gè)納米結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)的圖案周期為λ/n～10×λ/n。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)的圖案周期為λ/n～10×λ/n。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)和所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)具有彼此不同的周期。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)和所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)在空間上垂直地彼此相對(duì)應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)和所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)在空間上垂直地部分彼此交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)和所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)在空間上垂直地部分彼此交叉。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)上的上部密封物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述下部密封物的折射率小于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的折射率。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述上部密封物的折射率小于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的折射率。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述上部密封物和所述下部密封物的折射率小于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的折射率。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述下部密封物包括空氣或者環(huán)氧樹(shù)脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述上部密封物包括空氣或者環(huán)氧樹(shù)脂。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的外側(cè)邊緣部分上的第一層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中所述第一層包括半導(dǎo)體材料或者介電材料中的至少一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)的折射率大于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的折射率。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)的周期大于所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)的周期。
19.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)和所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)包括具有預(yù)定納米圖案周期的多個(gè)納米結(jié)構(gòu)。
20.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第一光子晶體結(jié)構(gòu)和所述第二光子晶體結(jié)構(gòu)包括具有預(yù)定納米圖案周期的多個(gè)納米結(jié)構(gòu)。
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