[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010003437.2
• 申請日: 2010-01-15
• 公開（公告）號: CN101996950A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發明（設計）人: 金度亨;曹永萬
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/108;H01L23/52
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

形成器件隔離結構以在基板中限定多個有源區，所述多個有源區包括彼此相鄰設置的第一有源區和第二有源區；

在所述基板中形成多根埋入式字線，每根埋入式字線限定在形成于所述基板中的溝槽內；

形成存儲節點觸點孔，所述存儲節點觸點孔在所述第一有源區和所述第二有源區上延伸；

用存儲節點觸點插塞材料來填充所述存儲節點觸點孔；

形成位線溝槽以將所述存儲節點觸點插塞材料分為第一存儲節點觸點插塞和第二存儲節點觸點插塞，所述第一存儲節點觸點插塞分配給所述第一有源區，并且所述第二存儲節點觸點插塞分配給所述第二有源區；以及

在所述位線溝槽內形成位線。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在位線觸點區域和存儲節點觸點區域上形成連接插塞。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，

所述連接插塞的形成步驟包括：

在形成所述埋入式字線之前，在所述第一有源區和所述第二有源區的表面上形成硬掩模氧化物和硬掩模層；

在形成所述埋入式字線之后，從所述第一有源區和所述第二有源區的表面上移除所述硬掩模層和所述硬掩模氧化物；以及

在借助移除所述硬掩模層而限定的空間中形成所述連接插塞。

4.根據權利要求3所述的方法，還包括：

將離子注入到所述連接插塞中。

5.根據權利要求2所述的方法，其中，

所述存儲節點觸點孔的形成步驟包括：

在包括所述連接插塞和所述字線在內的所述基板上形成層間電介質；以及

利用所述連接插塞作為蝕刻停止層來蝕刻所述層間電介質。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述第一有源區和所述第二有源區的位線觸點區域和存儲節點觸點區域中形成選擇性外延生長層。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述埋入式字線的形成步驟包括：

在所述基板中形成多個溝槽；

用柵極導電層來填充所述溝槽；以及

在所述溝槽內的柵極導電層上形成覆蓋層。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述位線溝槽的底部和側面上形成氮化物間隔物；以及

在位線觸點節點部分的一部分中，從所述位線溝槽的底部移除所述氮化物間隔物。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，

所述位線的形成步驟包括：

在所述位線溝槽的側壁和下表面上形成阻擋金屬層；以及

在所述阻擋金屬層的表面上形成位線導電層。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

對所述阻擋金屬層熱處理以將所述阻擋金屬層的一部分轉變為硅化物；以及

移除未被轉變成硅化物的所述阻擋金屬層，從而使得所述硅化物保留在所述位線溝槽內。

11.根據權利要求2所述的方法，其中，

所述連接插塞的表面與所述器件隔離結構的表面位于大致相同的高度上。

12.一種半導體器件，包括：

第一有源區和第二有源區，所述第一有源區和所述第二有源區形成在基板中并且彼此相鄰，所述第一有源區和所述第二有源區均包括位線觸點區域、存儲節點觸點區域以及器件隔離結構；

字線，其設置在形成于所述基板中的溝槽內；

第一存儲節點觸點插塞和第二存儲節點觸點插塞，其分別分配給所述第一有源區和所述第二有源區，所述第一存儲節點觸點插塞和所述第二存儲節點觸點插塞被位線溝槽彼此分隔開；以及

位線，其形成在所述位線溝槽內。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，還包括：

多晶硅插塞，所述多晶硅插塞形成在所述位線觸點區域和所述存儲節點觸點區域上。

14.根據權利要求12所述的半導體器件，還包括：

選擇性外延生長層，所述選擇性外延生長層形成在所述位線觸點區域和所述存儲節點觸點區域上。

15.根據權利要求12所述的半導體器件，還包括：

層間電介質，所述層間電介質形成在所述字線和所述器件隔離結構上。