[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201010003405.2
• 申請日: 2010-01-11
• 公開（公告）號: CN102122668A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 張義昭;杜尚暉;許健;張怡楓;白倪星
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種半導體結構，其特征在于，所述的半導體結構包括：

一第一導電型襯底；

一第二導電型井區，位于所述第一導電型襯底上；

一第二導電型擴散源極與一第二導電型擴散漏極，位于所述第一導電型襯底上；

一柵極結構，位于所述第二導電型擴散源極與所述第二導電型擴散漏極之間的所述第二導電型井區上；以及

以橫向排列的多數個第一導電型埋環，形成于所述第二導電型井區中，并將所述第二導電型井區分為一上部漂移區與一下部漂移區。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構包括橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管，且擊穿電壓大于800V，導通電阻小于110mΩcm²。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的擊穿電壓介于800V至900V，導通電阻介于100mΩcm²至110mΩcm²。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一導電型埋環的摻雜輪廓、摻雜質總量或凈電荷量從所述第二導電型擴散源極到所述第二導電型擴散漏極的方向逐漸變小。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二導電型井區的表面摻雜濃度或凈電荷量從所述第二導電型擴散源極到所述第二導電型擴散漏極的方向逐漸變大。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一導電型埋環互相分開。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構具有指插狀結構，其包括一以所述第二導電型擴散源極為中心的指末端與一以所述第二導電型擴散漏極為中心的指末端，其中以所述第二導電型擴散源極為中心的指末端其所述第一導電型埋環的凈電荷量小于以所述第二導電型擴散漏極為中心的指末端。

8.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第二導電型擴散源極為中心的指末端其所述第一導電型埋環的數量少于以所述第二導電型擴散漏極為中心的指末端。

9.如權利要求7所述的半導體結構，其特征在于，所述第二導電型擴散源極與漏極為中心的指末端分別具有不同分布的所述第一導電型埋環。

10.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，所述的制造方法包括：

提供一第一導電型襯底；

在所述第一導電型襯底上形成一第二導電型井區；

在所述第一導電型襯底上形成一第二導電型擴散源極與一第二導電型擴散漏極；

在所述第二導電型擴散源極與所述第二導電型擴散漏極之間的所述第二導電型井區上形成一柵極結構；以及

在所述第二導電型井區中形成以橫向排列的多數個第一導電型埋環，其將所述第二導電型井區分為一上部漂移區與一下部漂移區。

11.如權利要求10所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述半導體結構包括橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管，且擊穿電壓大于800V，導通電阻小于110mΩcm²。

12.如權利要求11所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的擊穿電壓介于800V至900V，導通電阻介于100mΩcm²至110mΩcm²。

13.如權利要求10所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第一導電型埋環以利用一掩膜進行光刻與注入制造工藝而形成。

14.如權利要求13所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，形成所述第一導電型埋環的步驟包括：

利用所述掩膜在所述第一導電型襯底上形成一圖案化的掩膜層；

對所述圖案化的掩膜層露出的所述第二導電型井區植入第一導電型摻雜質；以及

移除所述圖案化的掩膜層。

15.如權利要求10所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，所述第一導電型埋環互相分開。