[發明專利]半導體裝置及其制造方法無效
| 申請號: | 201010003345.4 | 申請日: | 2007-02-15 |
| 公開(公告)號: | CN101794794A | 公開(公告)日: | 2010-08-04 |
| 發明(設計)人: | 筱原亙 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/075 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 及其 制造 方法 | ||
本申請是申請日為2007年2月15日、申請號為200710078823.6的同名專利申請的分案申請。?
技術領域
本發明涉及光電動勢裝置及其制造方法,特別涉及設置有在多個光電變換部之間具有導電性的中間層的光電動勢裝置及其制造方法。?
背景技術
在現階段,設置有在多個光電變換部之間具有導電性的中間層的光電動勢裝置是眾所周知的。這種光電動勢裝置,例如,已經在日本特開2002-118273號專利公報中有所揭示。?
在上述日本特開2002-118273號專利公報中揭示的光電動勢裝置中,在基板上隔開規定間隔而形成第一透明電極和第二透明電極,并且在第一透明電極和第二透明電極上,形成第一光電變換單元。而且,在第一光電變換單元上,隔著具有導電性的中間層形成第二光電變換單元。而且,在第二光電變換單元上,以分別與所述第一透明電極和第二透明電極對應的方式而配置有第一背面電極和第二背面電極。此外,經由以貫通第二光電變換單元、中間層和第一光電變換單元的方式形成的開溝部,而使第一背面電極與第二透明電極電連接。?
但是,在上述日本特開2002-118273號專利公報中揭示的光電動勢裝置中,因為第一背面電極與在開溝部內具有導電性的中間層接觸,所以存在著在第一背面電極和中間層之間發生電短路那樣的問題。?
發明內容
本發明就是為了解決上述問題而提出的,本發明的目的之一在于提供一種在備有在多個光電變換部之間具有導電性的中間層的情形中,也能夠抑制背面電極和中間層的電短路的光電動勢裝置及其制造方法。?
為了實現所述目的,根據本發明的第一方面中的光電動勢裝置,包括具有絕緣性表面的基板、在基板的絕緣性表面上形成的,由第一?
開溝部所分離的第一基板側電極和第二基板側電極、以覆蓋第一基板側電極和第二基板側電極的方式形成的第一光電變換部、隔著具有導電性的中間層在第一光電變換部的表面上形成的第二光電變換部、在第二光電變換部的表面上形成的,分別與第一基板側電極和第二基板側電極對應的第一背面電極和第二背面電極、用于電分離第一背面電極和第二背面電極的第二開溝部、在第一開溝部和第二開溝部之間的區域中,以從第二背面電極的上表面至少切斷中間層的方式形成的第三開溝部、以至少覆蓋中間層的切斷部的方式埋入在第三開溝部內的第一絕緣部件、以及在第二開溝部和第三開溝部之間的區域中,與第一基板側電極電連接,并且跨越第三開溝部而與第二背面電極電連接的導電性部件。?
在根據該第一方面中的光電動勢裝置中,如上所述,通過在用于電分離第一基板側電極和第二基板側電極的第一開溝部、和用于電分離第一背面電極和第二背面電極的第二開溝部之間的區域中,設置以從第二背面電極的上表面至少切斷中間層的方式形成的第三開溝部,并且設置以至少覆蓋中間層的切斷部的方式埋入在第三開溝部內的第一絕緣部件,而能夠用該第一絕緣部件,使相對于第三開溝部的第一開溝部側的中間層、和相對于第三開溝部的第二開溝部側的中間層電絕緣。此外,因為通過在用于電分離第一背面電極和第二背面電極的第二開溝部和埋入第一絕緣部件的第三開溝部之間的區域中,設置與第一基板側電極電連接,并且跨越第三開溝部而與第二背面電極電連接的導電性部件,由所述第一絕緣部件,使該導電性部件與相對于第三開溝部的第一開溝部側的中間層電絕緣,所以能夠抑制導電性部件與相對于第三開溝部的第一開溝部側的中間層發生電短路。此外,因為通過與背面電極不同地設置導電性部件,在形成第二光電變換部后連續地形成背面電極,此后,能夠采用形成導電性部件的制造步驟,所以在光電動勢裝置的制造過程中能夠防止最想要抑制污染的第二光電變換部的表面暴露在大氣中。?
在根據上述第一方面中的光電動勢裝置中,優選還包括在第二開溝部和第三開溝部之間的區域中,以貫通第二背面電極、第二光電變換部、中間層和第一光電變換部,并且與露出第一基板側電極的表面?的方式形成的第四開溝部,導電性部件被形成為以與在第四開溝部內露出的第一基板側電極的表面接觸的方式埋入在第四開溝部中,并且跨越埋入在第三開溝部內的第一絕緣部件而與第二背面電極電連接。如果這樣地進行構成,則因為由埋入在第三開溝部內的第一絕緣部件使埋入在第四開溝部內的導電性部件,與相對于第三開溝部的第一開溝部側的中間層電絕緣,所以能夠抑制導電性部件與相對于第三開溝部的第一開溝部側的中間層發生電短路。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





