[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010003345.4
• 申請日: 2007-02-15
• 公開（公告）號: CN101794794A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 筱原亙
• 申請（專利權(quán)）人: 三洋電機株式會社
• 主分類號: H01L27/142
• 分類號: H01L27/142;H01L31/075
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種光電動勢裝置，其特征在于，包括：

具有絕緣性表面的基板；

在所述基板的絕緣性表面上形成的，由第一開溝部所分離的第一 基板側(cè)電極和第二基板側(cè)電極；

以覆蓋所述第一基板側(cè)電極和所述第二基板側(cè)電極的方式而形成 的第一光電變換部；

隔著具有導(dǎo)電性的中間層在所述第一光電變換部的表面上形成的 第二光電變換部；

在所述第二光電變換部的表面上形成的，分別與所述第一基板側(cè) 電極和所述第二基板側(cè)電極對應(yīng)的由銀構(gòu)成的第一背面電極和第二背 面電極；

用于電分離所述第一背面電極和所述第二背面電極的第二開溝 部；

在所述第一開溝部和所述第二開溝部之間的區(qū)域中，以至少切斷 所述第二光電變換部和所述中間層的方式形成的第三開溝部；

以至少覆蓋所述中間層的切斷部的方式埋入在所述第三開溝部內(nèi) 的第一絕緣部件；和

在所述第二開溝部和所述第三開溝部之間的區(qū)域中，與所述第一 基板側(cè)電極電連接，并且跨越所述第三開溝部而與所述第二背面電極 電連接的由銀構(gòu)成的導(dǎo)電性部件，

還包括在所述第二開溝部和所述第三開溝部之間的區(qū)域中，以貫 通所述第二背面電極、所述第二光電變換部、所述中間層和所述第一 光電變換部，并且露出所述第一基板側(cè)電極的表面的方式形成的第四 開溝部；

所述導(dǎo)電性部件被形成為以與在所述第四開溝部內(nèi)露出的所述第 一基板側(cè)電極的表面接觸的方式埋入在所述第四開溝部中，并且跨越 埋入在所述第三開溝部內(nèi)的所述第一絕緣部件而與所述第二背面電極 電連接。

2.如權(quán)利要求1所述的光電動勢裝置，其特征在于：

將所述第一絕緣部件充填在所述第三開溝部內(nèi)。

3.如權(quán)利要求2所述的光電動勢裝置，其特征在于：

所述第一絕緣部件的上表面被形成為比所述第二背面電極的上表 面更朝上突出。

4.如權(quán)利要求1所述的光電動勢裝置，其特征在于：

以與所述第二背面電極的所述第一開溝部和所述第三開溝部之間 的區(qū)域的表面接觸的方式形成所述導(dǎo)電性部件。

5.如權(quán)利要求1所述的光電動勢裝置，其特征在于：

以貫通所述第二背面電極、所述第二光電變換部、所述中間層和 所述第一光電變換部，并且露出所述第一基板側(cè)電極的表面的方式形 成所述第二開溝部。

6.如權(quán)利要求1所述的光電動勢裝置，其特征在于：

以貫通所述第二背面電極、所述第二光電變換部、所述中間層和 所述第一光電變換部，并且露出所述第一基板側(cè)電極的表面的方式形 成所述第三開溝部。

7.如權(quán)利要求1所述的光電動勢裝置，其特征在于，還包括：

以埋入在所述第二開溝部內(nèi)的方式形成的第二絕緣部件。

8.如權(quán)利要求7所述的光電動勢裝置，其特征在于：

將所述第二絕緣部件充填在所述第二開溝部內(nèi)。

9.如權(quán)利要求1所述的光電動勢裝置，其特征在于：

所述中間層具有使從所述基板側(cè)入射的光部分反射并且部分透過 的功能。