[發明專利]放射性氣體同位素制造裝置

無效

• 申請號: 201010003232.4
• 申請日: 2010-01-11
• 公開（公告）號: CN101794635A
• 公開（公告）日: 2010-08-04
• 發明（設計）人: 川間哲雄
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社
• 主分類號: G21G1/10
• 分類號: G21G1/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

技術領域

本申請主張基于2009年1月16日申請的日本專利申請第2009-007856號的優先權。該申請的全部內容通過參照援用在本說明書中。

本發明涉及放射性氣體同位素制造裝置。

背景技術

例如使用于PET檢查(正電子發射斷層攝影檢查)等的放射性同位素標記化合物(RI化合物)在使放射性同位素(RI)與預定的原料試劑進行化學反應的RI合成裝置中合成。作為供給于這種RI合成裝置的放射性氣體同位素(RI氣體)公知有H¹¹CN、¹¹CO2、¹¹CO、¹¹CH₄等。在非專利文獻1、2公開有有關RI氣體的制造的技術。

圖3是表示以往的RI氣體制造裝置的簡要圖。圖3所示的以往的RI氣體制造裝置1例如具備出射通過回旋加速器被加速的帶電粒子束B的真空箱2、以及照射從真空箱2出射的帶電粒子束并使之進行核反應的靶氣反應器3。

在真空箱2及靶氣反應器3設有使帶電粒子束透射的箔8、9。而且，在靶氣反應器3通過入口配管6連接氣缸4，通過出口配管7連接合成裝置5。在入口配管6及出口配管7設置閥V，通過關閉這些閥V，可以維持靶氣反應器3的氣密狀態。

制造RI氣體時，成為原料的靶氣從氣缸4填充到靶氣反應器3，關閉閥V，靶氣反應器3內成為氣密狀態。帶電粒子束B透射真空箱2的箔8，并透射靶氣反應器3的箔9，照射到填充于靶氣反應器3內的靶氣。通過帶電粒子束B和靶氣的沖撞產生核反應，制造出放射性氣體同位素。

而且，在以往的RI氣體制造裝置1中，通過在箔8、9的外表面噴吹冷卻用氣體(例如He氣體)，抑制箔8、9的溫度上升。

非專利文獻1：DAVID?R.CHRISTMAN，R.D.FINN，K.I.KARLSTROMand?A.P.WOLF、「The?Production?of?Ultra?High?Activity?11C-labeledHydrogenCyanide，Carbon?Dioxide，Carbon?Monoxide?and?Methane?via?the?14N(p，α)11CReaction(XV)*」、International?Journal?of?Applied?RadiationandIsotopes、(英國)、Pergamon?Press、1975、Vol.26、pp.435-442

非專利文獻2：J.Noguchi，K.Suzuki、「Automated?synthesis?of?the?ultrahigh?specificactivity?of[11C]Ro15-4513and?its?application?in?an?extremely?lowconcentration?region?to?an?ARG?study」、Nuclear?Medicine?&?Biology、2003、Vol.30、pp.335-343

然而，在上述的現有技術中，因為靶氣反應器3內通過核反應變為高壓，所以使箔的厚度增加，從而滿足耐壓性能。若箔變厚，則箔透射后的帶電粒子束的能量損失增大，所以存在RI氣體的產量下降的問題。而且，箔變厚且帶電粒子束的能量損失增大，從而存在箔變為高溫的問題。

發明內容

本發明是為了解決這種課題完成的，其目的在于，提供一種放射性氣體同位素制造裝置，能夠謀求反應室內的壓力下降，并減薄使帶電粒子束透射的照射窗的厚度。

根據本發明的放射性氣體同位素制造裝置的特征在于，具備：具有使帶電粒子束向室內透射的照射窗，接受透射該照射窗的帶電粒子束的照射，并使靶氣進行核反應的反應室；使從反應室流出的靶氣流入到反應室內的氣體循環裝置。

這種放射性氣體同位素制造裝置是具備使氣體從進行核反應的反應室內流出，并使之再次流入到反應室內的氣體循環裝置的結構，所以通過在循環中氣體被冷卻，可以使反應室內的溫度下降，并可以使反應室內的壓力下降。由此，與以往相比能夠減薄照射窗的厚度。而且，能夠減薄照射窗的厚度，所以可以抑制透射的帶電粒子束的能量損失，并可以抑制反應室內的溫度上升的同時，可以使RI氣體的產量增加。

在此，優選使靶氣流入到反應室內的靶氣流入部朝向照射窗。由此，可以朝向照射窗噴吹流入到反應室內的靶氣。因此，可以用簡單的結構進行照射窗的冷卻，所以，能夠防止反應室內的溫度上升及壓力上升。