[發明專利]放射性氣體同位素制造裝置無效
| 申請號： | 201010003232.4 | 申請日： | 2010-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN101794635A | 公開（公告）日： | 2010-08-04 |
| 發明（設計）人： | 川間哲雄 | 申請（專利權）人： | 住友重機械工業株式會社 |
| 主分類號： | G21G1/10 | 分類號： | G21G1/10 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 楊謙;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放射性 氣體 同位素 制造 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種放射性氣體同位素制造裝置，其特征在于，具備：
反應室，具有使帶電粒子束向室內透射的照射窗，接受透射該照射窗的帶電粒子束的照射，并使靶氣進行核反應；以及
氣體循環裝置，使從上述反應室流出的氣體流入到上述反應室內。
2.如權利要求1所述的放射性氣體同位素制造裝置，其特征在于，
使靶氣流入到反應室內的靶氣流入部朝向上述照射窗。
3.如權利要求1或2所述的放射性氣體同位素制造裝置，其特征在于，
在帶電粒子束的出射側的真空器和帶電粒子束的入射側的上述反應室之間僅設置1張上述照射窗。
4.如權利要求1至3中的任一項所述的放射性氣體同位素制造裝置，其特征在于，
上述氣體循環裝置具備使靶氣冷卻的冷卻器。
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