[發明專利]半導體集成電路器件的制造方法有效
| 申請號: | 201010002521.2 | 申請日: | 2002-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN101894798A | 公開(公告)日: | 2010-11-24 |
| 發明(設計)人: | 高橋理;小笠原邦男 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所;瑞薩北日本半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/82 | 分類號: | H01L21/82;H01L21/02;C02F9/00 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 屠長存 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 集成電路 器件 制造 方法 | ||
本申請是申請日為2002年10月31日、申請號為02147972.0(200810146383.8)、發明名稱為“半導體集成電路器件的制造方法”的中國發明專利申請的分案申請。?
技術領域
本發明涉及一種半導體集成電路器件的制造方法,尤其是一種當應用于一種提高在半導體集成電路器件的制造中使用的純水的質量的方法時是有效的技術。?
背景技術
在一個半導體器件的制造包括集成電路的微制造中,要求從半導體晶片(以后僅僅稱作晶片)的表面和界面上清除雜質,從而保持清潔。晶片上的雜質可能導致電路的斷路或短路。特別是,必須完全清除重金屬成分,因為它們對器件的電性質有很大的影響。?
純水用來在清洗或者濕刻之后從晶片的表面上沖洗掉化學溶液,從而使它清潔;或者用來制備在清洗或濕刻步驟中的化學溶液。在這樣的步驟中使用的純水是使用裝配了RO(反滲透)膜的一種RO(反滲透)設備在未凈化的水除去微粒,有機物和高分子離子,使用一種離子交換樹脂清除其它離子,然后使用UF裝置(超濾裝置)清除通過RO設備和離子交換樹脂的清除之后在未凈化的水中仍然存在的微粒和活性細菌而制備的。這樣的純水的準備過程公開于,例如,日本未經審查專利申請號Hei4(1992)-78483。在日本未經審查專利申請號Hei10(1998)-216721中,所公開的是通過一設置在UF裝置下游的陰離子吸收膜設備清除太小以至于不能通過UF裝置的陰離子的技術。?
本發明者們研究建立了一系統用來獲得在半導體集成電路器件?的制造中使用的高純度的純水(以后稱作“超純水”)。在研究中,他們發現發生了如下描述的問題。?
UF裝置在準備超純水的最后步驟中使用。UF裝置有一個通過把多個毛細空心纖維膜與包含環氧樹脂作為原材料的一種粘合劑捆扎在一起從而得到的模件過濾器。這一過濾器由于它材料的壽命需要間歇地用新的過濾器代替。用來捆扎空心纖維膜的粘合劑包含胺而且一部分胺已經電離。當過濾器被替換之后水通過該UF裝置時,電離的胺水解并遷移到超純水中。如果使用了包含這種電離胺的超純水,例如,剛好在MISFET(金屬絕緣半導體場效應晶體管)的柵氧化物薄膜形成之前用來清洗晶片,組成晶片的Si(硅)必然被這種電離胺蝕刻,導致形成柵絕緣薄膜形成之后柵絕緣薄膜和晶片之間的界面的不均勻。當在這樣的情形下形成的MISFET形成一電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM;以后稱作“閃速存儲器”)的一個存儲單元時,柵絕緣薄膜的擊穿電壓降低,導致往存儲單元寫特性和擦特性退化的問題。即使以上描述的MISFET用作除了一閃速存儲器的存儲單元之外的半導體器件時,在源和漏之間的電流也被打亂,導致特性的失靈。?
由本發明者們做的測試表明電離胺也來源于RO設備和離子交換樹脂。有這樣一種可能,即這種來源于除了UF裝置之外的地方的電離胺流進了超純水中。?
發明內容
本發明的一個目的是在制備將用于半導體集成電路器件的制造的超純水中,防止電離胺流進超純水中。?
以上所描述的和其它目的以及本發明的新穎特征從在此描述和附圖將是清楚的。?
接下來將概述本申請所公開的典型發明。?
本發明的一方面,因此提供了一種半導體集成電路器件的制造方法,它包括向具有初級凈化系統的一初級純水系統中引進中性水作為第一原料水;把通過初級凈化系統的凈化獲得的初級純水作為第二原料水引進到具有二級純凈系統的二級純水循環系統;然后使通過二級?凈化系統的凈化獲得的二級純水流入到初級濕洗設備中,從而使一半導體集成電路晶片接受初級濕處理,其中,在第二凈化系統中,進行的是通過一離子清除過濾器清除離子的步驟,通過一超濾過濾器清除雜質離子的步驟,和使經過了離子清除過濾器和超濾過濾器的純水流入初級濕洗設備的步驟,并且在流入初級濕洗設備時,電離胺或電離胺物質已經從二級純水中清除到這樣的程度以致不影響半導體集成電路器件的特性。?
本發明的另一方面,也提供了一種半導體集成電路器件的制造方法,它包括向一具有初級凈化系統的初級純水系統中引進中性水作為第一原料水,把通過初級凈化系統的凈化獲得的初級純水作為第二原料水引進到具有二級凈化系統的二級純水循環系統,然后使通過二級凈化系統的凈化獲得的二級純水流入到第一濕洗設備中,從而使一半導體集成電路晶片接受初級濕處理,其中,在二級凈化系統中,進行的是通過一超濾過濾器從純水中清除雜質離子的步驟,通過一薄膜型離子清除過濾器從經過了超濾過濾器的純水中清除離子的步驟,和使經過了離子清除過濾器的純水流入初級濕洗設備的步驟。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社日立制作所;瑞薩北日本半導體公司,未經株式會社日立制作所;瑞薩北日本半導體公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010002521.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種便攜式核素識別儀
- 下一篇:一種電流檢測電路連接結構
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





