[發(fā)明專利]半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010002521.2
• 申請日: 2002-10-31
• 公開（公告）號: CN101894798A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高橋理;小笠原邦男
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所;瑞薩北日本半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L21/02;C02F9/00
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 屠長存

1.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟：

(a)準(zhǔn)備晶片；

(b)在第一濕處理設(shè)備中清洗該晶片的表面；

(c)在步驟(b)清洗的晶片的表面上形成隧道氧化物膜；

(d)在步驟(c)之后，在該晶片的表面上分別形成浮動(dòng)?xùn)烹姌O、隔層電容器膜、和控制柵電極；

其中步驟(b)的清洗步驟使用凈化水進(jìn)行，該凈化水通過如下步驟凈化：

(b1)將第一水引入到第一水凈化系統(tǒng)中并凈化第一水，從而從所述第一水凈化系統(tǒng)引出第一凈化水；

(b2)將所述第一凈化水引入到具有純水循環(huán)系統(tǒng)的第二水凈化系統(tǒng)中，并凈化第一凈化水，從而從所述純水循環(huán)系統(tǒng)上的第一供應(yīng)點(diǎn)引出第二凈化水；以及

(b3)向第一濕處理設(shè)備提供所述第二凈化水，從而在步驟(b)中清洗該晶片的表面；

其中，所述步驟(b3)包含下列子步驟：

(b3-1)使所述第二凈化水通過至少能夠去除陽離子的離子過濾器，所述離子過濾器布置在所述第一供應(yīng)點(diǎn)和所述第一濕處理設(shè)備中的使用點(diǎn)之間，所述離子過濾器具有環(huán)形薄片形狀的薄膜，以及

(b3-2)向所述使用點(diǎn)提供通過所述離子過濾器的第二凈化水。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法，其中所述離子過濾器是薄膜型離子去除過濾器。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法，其中所述隧道氧化物膜在絕緣性上等效于厚度為20nm或更小的氧化硅膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法，其中所述隧道氧化物膜在絕緣性上等效于厚度為10nm或更小的氧化硅膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的制造方法，其中所述隧道氧化物膜在絕緣性上等效于厚度為5nm或更小的氧化硅膜。

6.一種半導(dǎo)體集成電路器件的制造方法，包括以下步驟：

(a)準(zhǔn)備晶片；

(b)在第一濕處理設(shè)備中清洗該晶片的表面；

(c)在經(jīng)步驟(b)清洗后的晶片的表面上形成柵絕緣膜；

(d)在步驟(c)之后，在該晶片的表面上形成柵電極；

其中步驟(b)的清洗步驟使用凈化水進(jìn)行，該凈化水通過如下步驟凈化：

(b1)將第一水引入到第一水凈化系統(tǒng)中并凈化第一水，從而從所述第一水凈化系統(tǒng)引出第一凈化水；

(b2)將所述第一凈化水引入到具有純水循環(huán)系統(tǒng)的第二水凈化系統(tǒng)中，并凈化第一凈化水，從而從所述純水循環(huán)系統(tǒng)上的第一供應(yīng)點(diǎn)引出第二凈化水；以及

(b3)向第一濕處理設(shè)備提供所述第二凈化水，從而在步驟(b)中清洗該晶片的表面；

其中，所述步驟(b3)包含下列子步驟：

(b3-1)使所述第二凈化水通過至少能夠去除陽離子的離子過濾器，所述離子過濾器布置在所述第一供應(yīng)點(diǎn)和所述第一濕處理設(shè)備中的使用點(diǎn)之間，所述離子過濾器具有環(huán)形薄片形狀的薄膜，以及

(b3-2)向所述使用點(diǎn)提供已經(jīng)通過所述離子過濾器的第二凈化水。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的制造方法，其中所述離子過濾器是薄膜型離子去除過濾器。

8.根據(jù)權(quán)利要求6的制造方法，其中所述柵絕緣膜在絕緣性上等效于厚度為20nm或更小的氧化硅膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求6的制造方法，其中所述柵絕緣膜在絕緣性上等效于厚度為10nm或更小的氧化硅膜。

10.根據(jù)權(quán)利要求6的制造方法，其中所述柵絕緣膜在絕緣性上等效于厚度為5nm或更小的氧化硅膜。