[發(fā)明專利]電子元件封裝體及其制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010001420.3 | 申請日: | 2010-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN101786594A | 公開(公告)日: | 2010-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉建宏 | 申請(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | B81C3/00 | 分類號: | B81C3/00;B81B7/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子元件 封裝 及其 制作方法 | ||
1.一種電子元件封裝體的制作方法,包括:
提供晶片,其具有上表面和下表面,該上表面上設(shè)有導(dǎo)電電極;
在該晶片的該上表面覆蓋蓋板;
在該晶片的該下表面覆蓋保護(hù)層;
在該保護(hù)層上形成電性接觸該導(dǎo)電電極的導(dǎo)電凸塊;以及
在該蓋板上形成開口結(jié)構(gòu);其中形成該開口結(jié)構(gòu)的步驟,是于該晶片的該上表面覆蓋該蓋板之前實(shí)施,或者在該晶片的該下表面覆蓋該保護(hù)層之后且于形成該導(dǎo)電凸塊之前實(shí)施。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該晶片上設(shè)有多個(gè)微機(jī)電裝置。
3.如權(quán)利要求2所述的電子元件封裝體的制作方法,其中所述微機(jī)電裝置包括壓力感測芯片,該上表面覆蓋感測薄膜。
4.如權(quán)利要求3所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該感測薄膜與該蓋板之間包括間隙,該間隙由間隔層所圍繞,且該間隔層與該感測薄膜水平方向之間包括應(yīng)力緩沖區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該間隔層位于該蓋板與該導(dǎo)電電極之間。
6.如權(quán)利要求4所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該間隔層與該感測薄膜相距既定間距。
7.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該開口結(jié)構(gòu)包括單一開口或多孔結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該晶片的該下表面向內(nèi)部形成有多個(gè)凹洞,且所述凹洞通過接合該晶片的該下表面的承載基板所密封。
9.如權(quán)利要求8所述的電子元件封裝體的制作方法,在該晶片的該上表面覆蓋該蓋板之后還包括對該承載基板的背面進(jìn)行薄化工藝,以薄化該承載基板至預(yù)定厚度。
10.如權(quán)利要求9所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該薄化工藝包括蝕刻、銑削、磨削或研磨。
11.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝體的制作方法,在該晶片的該下表面覆蓋該保護(hù)層之前還包括:
從該晶片的該下表面移除部分該晶片,以于該導(dǎo)電電極下方的位置形成第一開口;
在該晶片的該下表面和該第一開口中形成絕緣層;
移除部分該第一開口中的部分該絕緣層,以形成第二開口,并暴露出該導(dǎo)電電極;以及
在該第二開口的內(nèi)側(cè)壁及底部上形成導(dǎo)線層,且延伸至該晶片的該下表面的部分該絕緣層上,其中該導(dǎo)線層電性接觸該導(dǎo)電電極。
12.如權(quán)利要求11所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該保護(hù)層形成于該導(dǎo)線層上,且填入該第二開口。
13.如權(quán)利要求4所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該開口結(jié)構(gòu)對應(yīng)形成于該感測薄膜位置的正上方,且連通至該間隙。
14.如權(quán)利要求3所述的電子元件封裝體的制作方法,其中該感測薄膜與該開口結(jié)構(gòu)的面積比介于1至1.5之間。
15.一種電子元件封裝體,包括:
感測芯片,該感測芯片的上表面包括感測薄膜;
具有開口結(jié)構(gòu)的蓋板,覆蓋該感測芯片的該上表面,該蓋板與該感測芯片之間于對應(yīng)該感測薄膜位置上包括連通該開口結(jié)構(gòu)的間隙;以及
間隔層,介于該蓋板與該感測芯片之間且圍繞著該間隙。
16.如權(quán)利要求15所述的電子元件封裝體,其中該間隔層與該感測薄膜水平方向之間包括應(yīng)力緩沖區(qū)。
17.如權(quán)利要求15所述的電子元件封裝體,還包括導(dǎo)電電極,設(shè)置于該感測芯片的該上表面上,且介于該間隔層與該感測芯片之間。
18.如權(quán)利要求15所述的電子元件封裝體,其中,該間隔層與該感測薄膜相距既定間距。
19.如權(quán)利要求15所述的電子元件封裝體,其中,該蓋板為硅基板。
20.如權(quán)利要求16所述的電子元件封裝體,其中,該開口結(jié)構(gòu)包括單一開口或多孔結(jié)構(gòu)。
21.如權(quán)利要求15所述的電子元件封裝體,其中該感測芯片的該下表面向內(nèi)部形成有多個(gè)凹洞,且所述凹洞通過接合該感測芯片的該下表面的承載基板所密封。
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