[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法有效
| 申請號: | 201010001404.4 | 申請日: | 2010-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN101777575A | 公開(公告)日: | 2010-07-14 |
| 發明(設計)人: | 金恩雅;田熙喆;丁喜星;郭魯敏;樸順龍;鄭又碩;李柱華;鄭哲宇 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;薛義丹 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
技術領域
示例實施例涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。 具體地講,示例實施例涉及一種通過抑制外部光反射而實現顯示特性改進的 OLED顯示器及其制造方法。
背景技術
傳統的OLED顯示器可以包括多個OLED,每個OLED具有空穴注入電 極、有機發射層和電子注入電極。可以通過有機發光層內部的空穴和電子的 結合形成激子,并且可以通過激子從激發態下降到基態時產生的能量來發射 光,由此OLED顯示器可以形成圖像。
因此,OLED顯示器是自發光的,因為不會需要單獨的光源,所以OLED 顯示器可以具有減小的厚度和減輕的重量。OLED顯示器也可以表現出高品 質特性,例如,低功耗、高亮度和快速響應時間。OLED顯示器可以用于固 定裝置和便攜式裝置中。
然而,傳統的OLED顯示器可以包括各種電極和反射從外部進入的光的 金屬布線。例如由于黑色表示(black?representation)差和對比度差,所以外 部光在OLED顯示器中的反射會降低顯示特性。
在該背景技術部分公開的以上信息只是為了增強對本發明的背景的理 解,因此,它可以包含沒有形成已在該國為本領域普通技術人員所公知的現 有技術的信息。
發明內容
因此,示例實施例旨在提供一種OLED顯示器及其制造方法,該OLED 顯示器能夠克服現有技術中的一個或多個不足之處和缺點。
因此,示例實施例的一個特征在于提供一種具有能夠抑制外部光反射的 結構的OLED顯示器。
示例實施例的另一特征在于提供一種制造具有能夠抑制外部光反射的結 構的OLED顯示器的方法。
可以通過提供一種OLED顯示器來實現上述和其他特征中的至少一種, 所述OLED顯示器包括:基底構件;多個像素電極,位于基底構件上;像素 限定層,位于基底構件上,像素限定層包括像素限定部分和多個光散射隔離 部分,像素限定層包括與像素電極對應并且暴露像素電極的多個開口,光散 射隔離部分從像素限定部分遠離基底構件向上突出;有機發光層,位于像素 電極上;第一共電極,位于有機發光層上,第一共電極的至少一部分位于像 素限定層上以與光散射隔離部分疊置;透射膜,位于第一共電極上;第二共 電極,位于透射膜上。
像素限定層的光散射隔離部分可以以比透射膜的厚度大的厚度在透射膜 的上方突出,厚度是沿著與基底構件垂直的方向測量的。透射膜可以直接在 第一共電極和第二共電極之間。第一共電極和第二共電極可以與透射膜完全 疊置。
第一共電極和第二共電極可以在像素限定層的光散射隔離部分上彼此接 觸。
第一共電極和第二共電極中的一個或多個可以由半透射膜形成。
半透射膜可以由至少一種金屬制成,所述金屬是鎂(Mg)、銀(Ag)、 鈣(Ca)、鋰(Li)、鉻(Cr)和鋁(Al)中的一種或多種。
OLED顯示器還可以包括面向基底構件設置的密封構件,并且像素限定 層置于密封構件和基底構件之間,其中,像素限定層的光散射隔離部分可以 保持基底構件和密封構件之間的間隙。
像素限定層的光散射隔離部分的形狀可以包括擬柱體、棱柱體、圓錐體、 圓柱體、扁球體、橢圓體、半球體和半扁球體中的一種或多種。
可以通過提供一種制造OLED顯示器的方法來實現上述和其他特征中的 至少一種,所述方法包括以下步驟:在基底構件上形成多個像素電極;通過 利用掩模的光刻工藝在基底構件上將光敏材料層圖案化,以在基底構件上形 成像素限定層,像素限定層包括像素限定部分和多個光散射隔離部分,像素 限定層包括與像素電極對應并且暴露像素電極的多個開口,光散射隔離部分 從像素限定部分遠離基底構件向上突出;在像素電極上形成有機發光層;在 有機發光層上形成第一共電極,第一共電極的至少一部分位于像素限定層上 以與光散射隔離部分疊置;在第一共電極上形成透射膜;在透射膜上形成第 二共電極。
光刻工藝可以包括半色調曝光工藝。
像素限定層的光散射隔離部分可以以比透射膜的高度高的高度在透射膜 的上方突出。
第一共電極和第二共電極可以在像素限定層的光散射隔離部分上彼此接 觸。
第一共電極和第二共電極中的一個或多個可以由半透射膜形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





