[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010001404.4
• 申請(qǐng)日: 2010-01-04
• 公開（公告）號(hào): CN101777575A
• 公開（公告）日: 2010-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金恩雅;田熙喆;丁喜星;郭魯敏;樸順龍;鄭又碩;李柱華;鄭哲宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括：

基底構(gòu)件；

多個(gè)像素電極，位于基底構(gòu)件上；

像素限定層，位于基底構(gòu)件上，像素限定層包括像素限定部分和多個(gè)光 散射隔離部分，像素限定層包括與像素電極對(duì)應(yīng)并且暴露像素電極的多個(gè)開 口，光散射隔離部分從像素限定部分遠(yuǎn)離基底構(gòu)件向上突出；

有機(jī)發(fā)光層，位于像素電極上；

第一共電極，位于有機(jī)發(fā)光層上，第一共電極的至少一部分位于像素限 定層上以與光散射隔離部分疊置；

透射膜，位于第一共電極上；

第二共電極，位于透射膜上，

其中，像素限定層的光散射隔離部分在透射膜的上方突出，光散射隔離 部分的厚度比透射膜的厚度大，厚度是沿著與基底構(gòu)件垂直的方向測(cè)量的。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一共電極和第 二共電極在像素限定層的光散射隔離部分上彼此接觸。

3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一共電極和第 二共電極中的一個(gè)或多個(gè)包括半透射膜。

4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，半透射膜包含至 少一種金屬，所述金屬是鎂、銀、鈣、鋰、鉻和鋁中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯 示器還包括位于基底構(gòu)件上的密封構(gòu)件，像素限定層位于密封構(gòu)件和基底構(gòu) 件之間，像素限定層的光散射隔離部分保持基底構(gòu)件和密封構(gòu)件之間的間隙。

6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素限定層的光 散射隔離部分的形狀為擬柱體、圓錐體、圓柱體、扁球體、或半球體。

7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，像素限定層的光 散射隔離部分的形狀為棱柱體、橢圓體或半扁球體。

8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，透射膜直接位于 第一共電極和第二共電極之間。

9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，第一共電極和第 二共電極與透射膜完全疊置。

10.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括的步驟為：

在基底構(gòu)件上形成多個(gè)像素電極；

在基底構(gòu)件上形成像素限定層，像素限定層包括像素限定部分和多個(gè)光 散射隔離部分，像素限定層包括與像素電極對(duì)應(yīng)并且暴露像素電極的多個(gè)開 口，光散射隔離部分從像素限定部分遠(yuǎn)離基底構(gòu)件向上突出；

在像素電極上形成有機(jī)發(fā)光層；

在有機(jī)發(fā)光層上形成第一共電極，第一共電極的至少一部分位于像素限 定層上以與光散射隔離部分疊置；

在第一共電極上形成透射膜；

在透射膜上形成第二共電極，

其中，像素限定層的光散射隔離部分被形成為以比透射膜的高度高的高 度在透射膜的上方突出。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成像素限定層的步驟包括：通 過(guò)利用掩模的光刻工藝在基底構(gòu)件上將光敏材料層圖案化。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，光刻工藝包括半色調(diào)曝光工藝。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，第一共電極和第二共電極被形成 為在像素限定層的光散射隔離部分上彼此接觸。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，第一共電極和第二共電極中的一 個(gè)或多個(gè)由半透射膜形成。

15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，半透射膜由至少一種金屬制成， 所述金屬是鎂、銀、鈣、鋰、鉻和鋁中的一種或多種。

16.如權(quán)利要求10所述的方法，所述方法還包括設(shè)置面向基底構(gòu)件的密 封構(gòu)件，并且像素限定層置于基底構(gòu)件和密封構(gòu)件之間，從而像素限定層的 光散射隔離部分保持基底構(gòu)件和密封構(gòu)件之間的間隙。