[發明專利]功率用半導體裝置

有效

• 申請號: 200980161921.3
• 申請日: 2009-10-14
• 公開（公告）號: CN102576728A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 三浦成久;中田修平;大塚健一;渡邊昭裕;日野史郎;古川彰彥
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 崔成哲

1.一種功率用半導體裝置，其特征在于，具備：

第1導電類型的半導體基板；

第1導電類型的漂移層，形成于所述半導體基板的第1主面；

第2導電類型的第1阱區域，在所述漂移層的表層的一部分中形成了多個該第2導電類型的第1阱區域；

第1導電類型的源極區域，形成于多個所述第1阱區域各自的表層的一部分；

柵極絕緣膜，形成于多個所述第1阱區域以及所述源極區域上；

第2導電類型的第2阱區域，以包圍多個所述第1阱區域的方式，與所述第1阱區域隔離地形成；

第2導電類型的第3阱區域，在所述第2阱區域的外側與所述第2阱區域隔離地形成，且面積大于所述第2阱區域；

場氧化膜，在所述第3阱區域上形成至所述第3阱區域的內周的內側，且膜厚大于所述柵極絕緣膜；

柵電極，形成于所述場氧化膜上以及所述柵極絕緣膜；

源極焊盤，經由在所述第1阱區域上貫通所述柵極絕緣膜而形成的第1阱接觸孔、在所述第2阱區域上貫通所述柵極絕緣膜而形成的第2阱接觸孔、以及在所述第3阱區域上貫通所述場氧化膜而形成的第3阱接觸孔，將所述第1阱區域、所述第2阱區域以及所述第3阱區域電連接；

柵極焊盤，與所述柵電極電連接；以及

漏電極，設置于所述半導體基板的第2主面。

2.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

第2阱區域與第2阱區域的間隔是0.5μm以上5μm以下。

3.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

半導體基板是碳化硅半導體基板，漂移層由碳化硅材料構成。

4.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

柵極絕緣膜與場氧化膜的邊界處于第2阱區域的上部。

5.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

柵極絕緣膜與場氧化膜的邊界處于第2阱區域與第3阱區域之間的上部。

6.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

第1阱區域被形成為雜質濃度低于第2阱區域和第3阱區域的雜質濃度。

7.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

在以漏電極的電壓的開關速度是10V/nsec以上的速度進行切斷時，夾在第2阱區域與柵電極之間的柵極絕緣膜中感應的電場是3MV/cm以下。

8.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

在第2阱接觸孔的外側設置了柵極布線。