[發明專利]功率用半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200980160038.2
• 申請日: 2009-07-15
• 公開（公告）號: CN102473723A
• 公開（公告）日: 2012-05-23
• 發明（設計）人: 渡邊昭裕;中田修平;三浦成久
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 許海蘭

1.一種功率用半導體裝置，其特征在于，具備：

第1導電型的半導體襯底；

第1導電型的漂移層，形成于所述半導體襯底的第1主面；

第2導電型的第1阱區域，形成于所述漂移層的表層的一部分；

從上面看到的面積比所述第1阱區域小的第2導電型的第2阱區域，該第2阱區域與所述第1阱區域離開間隔地設置于所述漂移層的表層的一部分；

雜質濃度比所述第1阱區域大的第1導電型的低電阻區域，該低電阻區域形成于所述第1阱區域的表層；

柵極絕緣膜，接觸在所述第1阱區域以及所述低電阻區域的表面上而形成；以及

柵電極，接觸在所述柵極絕緣膜的表面上而形成。

2.根據權利要求1所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

半導體襯底和漂移層由碳化硅構成。

3.根據權利要求1或者2所述的功率用半導體裝置，其特征在于，還具備：

源電極焊盤；

阱接觸孔，連接第1阱區域與所述源電極焊盤；以及

源極接觸孔，連接第2阱區域與所述源電極焊盤，

其中，在所述阱接觸孔下部的區域中，所述源電極焊盤、低電阻區域以及所述第2阱區域相互接觸。

4.根據權利要求3所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

低電阻區域具有10¹⁸cm^-3以上的雜質濃度。

5.根據權利要求3所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

在阱接觸孔下部具備雜質濃度比低電阻區域高的接觸區域。

6.根據權利要求1或者2所述的功率用半導體裝置，其特征在于，

還具備溝道外延層。

7.一種功率用半導體裝置的制造方法，其特征在于，具備：

在第1導電型的半導體襯底的第1主面形成第1導電型的漂移層的工序；

在所述漂移層的表層的一部分形成第2導電型的第1阱區域的工序；

在所述漂移層的表層的與所述第1阱區域離開間隔的一部分區域形成從上面看到的面積比所述第1阱區域小的第2導電型的第2阱區域的工序；

在所述第1阱區域的表層的一部分形成雜質濃度比所述第1阱區域大的第1導電型的低電阻區域的工序；

在所述第2阱區域的表層的一部分形成第1導電型的源極區域的工序；

接觸在所述第2阱區域、所述源極區域、所述第1阱區域以及所述低電阻區域的表面上而形成柵極絕緣膜的工序；以及

在所述柵極絕緣膜的表面上形成柵電極的工序。

8.根據權利要求7所述的功率用半導體裝置的制造方法，其特征在于，

同時進行形成低電阻區域的工序和形成源極區域的工序。