[發明專利]SiC單晶的制造方法有效
| 申請號： | 200980159593.3 | 申請日： | 2009-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN102449208A | 公開（公告）日： | 2012-05-09 |
| 發明（設計）人： | 旦野克典;關章憲;齋藤廣明;河合洋一郎 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B15/14;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 段承恩;常殿國 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC單晶的制造方法，通過在石墨坩堝內使SiC晶種接觸含有Si的熔液，在該SiC晶種上生長SiC單晶，該制造方法的特征在于，在使所述SiC晶種接觸后，使所述溶液暫且升溫到比該接觸時的溫度高、且比進行所述生長的溫度高的溫度。
2.根據權利要求1所述的SiC單晶的制造方法，其特征在于，在進行所述生長的溫度下進行所述接觸。
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