[發明專利]半導體器件及其制造方法、毫米波電介質內傳輸裝置及其制造方法、以及毫米波電介質內傳輸系統

有效

• 申請號: 200980153550.4
• 申請日: 2009-12-08
• 公開（公告）號: CN102272919A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 河村拓史;岡田安弘
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/12
• 分類號: H01L23/12;H01L25/11
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王安武

1.一種半導體器件，包括：

半導體芯片，其設置在襯底上，并能夠進行毫米波帶通信；

天線結構，其連接至所述半導體芯片；

絕緣構件，其被構造用于覆蓋所述半導體芯片；以及

毫米波傳輸構件，其由具有能夠進行毫米波信號傳輸的電介質的介電材料制成，并與所述天線結構匹配。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述毫米波傳輸構件包括：

具有貫通部分的區域界定構件，所述貫通部分與連接至所述半導體芯片的所述天線結構匹配；以及

所述介電材料，其設置在所述區域界定構件的所述貫通部分中。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中，連接至所述半導體芯片的所述天線結構被設置在所述半導體芯片上。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其中，連接至所述半導體芯片的所述天線結構設置有平板天線。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中，所述半導體芯片包括：

第一信號生成單元，其被構造用于對輸入信號執行信號處理并生成毫米波信號；

雙向信號耦合單元，其被構造用于將所述半導體芯片耦合至所述天線結構，將由所述第一信號生成單元生成的所述毫米波信號發送至所述毫米波傳輸構件，并從所述毫米波傳輸構件接收所述毫米波信號；

第二信號生成單元，其被構造用于對由所述信號耦合單元接收到的所述毫米波信號執行信號處理，并生成輸出信號。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第一信號生成單元包括第一信號轉換部分，所述第一信號轉換部分被構造用于將并行輸入信號轉換為串行輸出信號，并且

所述第二信號生成單元包括第二信號轉換部分，所述第二信號轉換部分被構造用于將串行輸入信號轉換為并行輸出信號。

7.如權利要求2所述的半導體器件，其中，所述天線結構與所述半導體芯片并列地布置。

8.一種毫米波電介質內傳輸裝置，包括：

能夠進行毫米波電介質內傳輸的第一半導體器件，其包括設置在一個襯底上并能夠進行毫米波帶通信的半導體芯片、連接至所述半導體芯片的天線結構、以及被構造用于覆蓋所述半導體芯片并包括允許毫米波信號穿過的電介質的絕緣構件；

能夠進行毫米波電介質內傳輸的第二半導體器件，其包括設置在另一襯底上并能夠進行毫米波帶通信的半導體芯片、連接至所述半導體芯片的天線結構、以及被構造用于覆蓋所述半導體芯片并包括允許毫米波信號穿過的電介質的絕緣構件；以及

毫米波傳輸構件，其由具有能夠進行毫米波電介質內傳輸的電介質的介電材料制成，并設置在所述第一半導體器件與所述第二半導體器件之間，

其中，所述第一半導體器件以及所述第二半導體器件以將所述毫米波傳輸構件夾置于兩者之間的方式進行安裝，使得毫米波信號在所述第一半導體器件的所述天線結構與所述第二半導體器件的所述天線結構之間傳輸。

9.如權利要求8所述的毫米波電介質內傳輸裝置，其中，所述毫米波傳輸構件包括：

具有貫通部分的區域界定構件，所述貫通部分與所述第一及第二半導體器件的所述天線結構匹配；以及

介電材料，其設置在所述區域界定構件的所述貫通部分中。

10.如權利要求9所述的毫米波電介質內傳輸裝置，其中，所述天線結構設置在所述半導體芯片上，并且所述第一及第二半導體器件的所述天線結構以將所述毫米波傳輸構件夾置于兩者之間的方式布置。

11.如權利要求10所述的毫米波電介質內傳輸裝置，其中，所述天線結構包括平板天線。

12.如權利要求8所述的毫米波電介質內傳輸裝置，其中，所述第一及第二半導體器件之間的接合部分由具有能夠進行毫米波電介質內傳輸的電介質的介電材料制成，并設置有用作所述毫米波傳輸構件的粘彈性材料。

13.如權利要求8所述的毫米波電介質內傳輸裝置，其中，所述天線結構與所述半導體芯片并列地布置，并且所述第一及第二半導體器件的所述天線結構以將所述毫米波傳輸構件夾置于兩者之間的方式布置。