[發明專利]基片的系統及處理無效
| 申請號: | 200980150323.6 | 申請日: | 2009-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN102439707A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 楊海春 | 申請(專利權)人: | 洛克企業有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立;王萍萍 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 系統 處理 | ||
技術領域
本發明涉及用于半導體產業的基片的處理,為了包括無特征的晶片、集成電路陣列及光伏電池產業的多種目的。
特別地,本發明涉及一種在基片為易碎的情況下處理所述基片的設備。
背景技術
取決于基片的最終用途,在半導體產業中使用的不同的基片處理技術變化很大。特別地,受制于包括材料的厚度、最終用途及是否應用外部的強化以增強基片的許多因素,基片在處理過程中的易碎性變化很大。
例如,晶片可能為0.18mm厚,由諸如單晶硅的低抗彎強度的材料制成。處理這種電池,要求專家的操作來避免損傷。例如,如其內容被并入的PCT/SG2006/000015中所揭示的,對與集成電路陣列的基片通常相關聯的基片的處理,在此是不合適的,并會導致對電池的不可接受級的損傷。
發明內容
因此,本發明的目的在于提供一種以更為適合這些元件的方式來處理易碎基片的設備。
在第一方面,本發明提供了一種用以處理基片的系統,包括用以接收基片的裝載站;用以檢查基片下表面的下表面檢查站;用以檢查基片上表面的上表面檢查站及;基于下表面檢查及上表面檢查而用以將基片分揀入預定類別的分揀站。
在第二方面,本發明提供了一種基片接合裝置,本裝置包括具有用以真空接合所述基片的真空源的殼體;用以在與所述裝置真空接合時接觸所述基片的間隔裝置,所述間隔裝置布置為在所述真空源與所述基片之間保持有間隙。
在第三方面,本發明提供了一種接合基片的方法,本方法包括如下步驟:為真空接合所述基片提供真空源;在與所述設備真空接合時,用間隔裝置接觸所述基片;所述間隔裝置布置為在所述真空源與所述基片之間保持有間隙。
相應地,本發明提供了一種接合和支撐所述電池的設備,藉以由不同的功能來實現接合和支撐。特別地,涉及一種用以在接合期間使基片與真空源分開的設備。
附圖說明
關于說明本發明可能的布置方式的附圖,對本發明做進一步描述會方便。本發明的其他布置方式是可能的,因此附圖的細節并不能理解為取代本發明的上述描述的一般性。
圖1是根據本發明的一個實施例的系統的平面圖;
圖2是根據圖1的裝載傳送器的細節平面圖;
圖3是根據本發明的進一步的實施例的下表面檢查站的等軸測視圖;
圖4是根據本發明的進一步的實施例的上表面檢查站的等軸測視圖;
圖5是根據本發明的進一步的實施例的外圍檢查站的等軸測視圖;
圖6是根據本發明的進一步的實施例的厚度測量站的等軸測視圖;
圖7是根據本發明的進一步的實施例的分揀箱的等軸測視圖,及;
圖8,8A,8B,8C是根據本發明的進一步的實施例的拾取器的各種各樣的視圖。
具體實施方式
圖1顯示了用于處理基片或晶片的系統的概況。系統5被定位在單片化切割區的下游,藉此基片從較大塊材料源上被切分出來。在單片化切割后,基片送入清洗站10及干燥站15,在退出干燥站15之前,通過傳送器17。在進入檢查及分揀區6之前,基片然后進入激光標記頭20。
檢查及分揀區6包括承載器25,其充當用于基片的緩沖。這對于在上游清洗/干燥區與檢查及分揀區6之間的處理速度的差異是有用的。在本實施例中,基片被遞送到下表面檢查站30,隨后是上表面檢查站35。為處理瓶頸問題,本實施例在進入雙托架承載器50,以基于在先的檢查站的結果來將基片輸送至各自的箱子60之前,還包括兩個厚度測量站40、45。當各自的箱子裝滿時,它們被輸送至打包區80,并放置在各自的區域85中。
本發明的各個方面將在后面的圖中做更細致的描述。
圖2顯示了基片100進入檢查及分揀區6。這里傳送器17將基片100輸送至承載器25。在本實施例中,該承載器具有3個基片105的容量。然而,其他的實施例可能包括具有3、4或5個基片的容量的承載器。更進一步的實施例受制于基片的尺寸和對于具有基片的緩沖以管理通過系統的工藝流程的要求,可以承載更多的基片。承載器25被布置為沿與傳送器17呈直角的方向移動100,這樣移動傳送器25以使承載器內的空槽對應于正從承載器17遞送而來的基片100。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





