[發明專利]半導體陶瓷及正特性熱敏電阻

無效

• 申請號: 200980149759.3
• 申請日: 2009-12-11
• 公開（公告）號: CN102245535A
• 公開（公告）日: 2011-11-16
• 發明（設計）人: 阿部直晃;勝勇人;后藤正人;岸本敦司;中山晃慶
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: C04B35/46
• 分類號: C04B35/46;H01C7/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張寶榮

1.一種半導體陶瓷，其特征在于，

其為實質上不含鉛的非鉛系的半導體陶瓷，

其將具有通式A_mBO₃所示的鈣鈦礦型結構的BaTiO₃系組合物作為主要成分，

構成A位的Ba中的一部分被堿金屬元素、Bi、Ca、Sr及稀土類元素取代，并且，

在將構成所述A位的元素的總摩爾數設為1摩爾，所述Ca的摩爾比設為x，所述Sr的摩爾比設為y的情況下，所述Ca及Sr的含量滿足0.05≤x≤0.20、0.02≤y≤0.12、及2x+5y≤0.7。

2.如權利要求1所述的半導體陶瓷，其特征在于，所述Ca的含量以所述摩爾比x計滿足0.125≤x≤0.175。

3.如權利要求1或2所述的半導體陶瓷，其特征在于，所述堿金屬元素為Na及K中的至少1種。

4.一種正特性熱敏電阻，其為在部件基體的兩端部形成有外部電極的正特性熱敏電阻，其特征在于，所述部件基體是用權利要求1～3中任一項所述的半導體陶瓷形成的。