[發(fā)明專利]帶密封材料層的玻璃構(gòu)件以及使用該構(gòu)件的電子器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980147985.8
• 申請日: 2009-11-25
• 公開（公告）號: CN102224115A
• 公開（公告）日: 2011-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涉谷幸一;井出旭;川浪壯平
• 申請（專利權(quán)）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: C03C27/06
• 分類號: C03C27/06;C03C8/18;G02F1/1339;G09F9/30;H01L31/02;H01L51/50;H05B33/04
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 劉多益

1.一種帶密封材料層的玻璃構(gòu)件，其特征在于，

具備具有密封區(qū)域的玻璃基板和

設(shè)于所述玻璃基板的所述密封區(qū)域上的密封材料層，所述密封材料層由包含以低膨脹填充材料粒子構(gòu)成的低膨脹填充材料和激光吸收材料的密封用玻璃材料形成；

所述密封用玻璃材料不含粒徑大于所述密封材料層的厚度T的所述低膨脹填充材料粒子，且包含以體積比計(jì)在0.1～50％的范圍內(nèi)的粒徑相對于所述密封材料層的厚度T在0.5T～1T的范圍內(nèi)的所述低膨脹填充材料粒子。

2.如權(quán)利要求1所述的帶密封材料層的玻璃構(gòu)件，其特征在于，所述低膨脹填充材料由選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、硅酸鋯、堇青石、磷酸鋯類化合物、鈉鈣玻璃和硼硅酸鹽玻璃的至少1種材料形成，且所述低膨脹填充材料在所述密封用玻璃材料中的含量在15～50體積％的范圍內(nèi)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的帶密封材料層的玻璃構(gòu)件，其特征在于，所述激光吸收材料由選自Fe、Cr、Mn、Co、Ni和Cu的至少1種金屬或包含所述金屬的化合物形成，且所述激光吸收材料在所述密封用玻璃材料中的含量在0.1～10體積％的范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的帶密封材料層的玻璃構(gòu)件，其特征在于，具有所述0.5T～1T的范圍內(nèi)的粒徑的所述低膨脹填充材料粒子在所述密封用玻璃材料中的含量以體積比計(jì)在0.1～10％的范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1～4中的任一項(xiàng)所述的帶密封材料層的玻璃構(gòu)件，其特征在于，所述玻璃基板由鈉鈣玻璃或無堿玻璃形成。

6.如權(quán)利要求1～5中的任一項(xiàng)所述的帶密封材料層的玻璃構(gòu)件，其特征在于，所述密封用玻璃材料包含由錫-磷酸類玻璃或鉍類玻璃形成的密封玻璃作為其主要成分。

7.一種電子器件，其特征在于，包括

具有具備電子元件的元件形成區(qū)域和設(shè)于所述元件形成區(qū)域的外周側(cè)的第一密封區(qū)域的第一玻璃基板、

具有與所述第一玻璃基板的所述第一密封區(qū)域?qū)?yīng)的第二密封區(qū)域的第二玻璃基板、

以在所述元件形成區(qū)域上設(shè)置間隙的同時(shí)將所述第一玻璃基板的所述第一密封區(qū)域與所述第二玻璃基板的所述第二密封區(qū)域之間密封的方式形成的密封層，所述密封層由包含以低膨脹填充材料粒子構(gòu)成的低膨脹填充材料和激光吸收材料的密封用玻璃材料的熔融固著層形成；

所述密封用玻璃材料不含粒徑大于所述密封層的厚度Ta的所述低膨脹填充材料粒子，且包含以體積比計(jì)在0.1～50％的范圍內(nèi)的粒徑相對于所述密封層的厚度Ta在0.5Ta～1Ta的范圍內(nèi)的所述低膨脹填充材料粒子。

8.如權(quán)利要求7所述的電子器件，其特征在于，所述電子元件為有機(jī)EL元件或太陽能電池元件。

9.一種電子器件的制造方法，其特征在于，包括

準(zhǔn)備具有具備電子元件的元件形成區(qū)域和設(shè)于所述元件形成區(qū)域的外周側(cè)的第一密封區(qū)域的第一玻璃基板的工序、

準(zhǔn)備具有與所述第一玻璃基板的所述第一密封區(qū)域?qū)?yīng)的第二密封區(qū)域以及形成于所述第二密封區(qū)域上的由包含以低膨脹填充材料粒子構(gòu)成的低膨脹填充材料和激光吸收材料的密封用玻璃材料形成的密封材料層的第二玻璃基板的工序、

在所述元件形成區(qū)域上形成間隙的同時(shí)介以所述密封材料層層疊所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板的工序、

透過所述第二玻璃基板對所述密封材料層照射激光而使所述密封材料層熔融并形成將所述第一玻璃基板與所述第二玻璃基板之間密封的密封層的工序；

所述密封用玻璃材料不含粒徑大于所述密封材料層的厚度T的所述低膨脹填充材料粒子，且包含以體積比計(jì)在0.1～50％的范圍內(nèi)的粒徑相對于所述密封材料層的厚度T在0.5T～1T的范圍內(nèi)的所述低膨脹填充材料粒子。

10.如權(quán)利要求9所述的電子器件的制造方法，其特征在于，所述電子元件為有機(jī)EL元件或太陽能電池元件。