[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄再生裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980147723.1
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN102227771A
• 公開（公告）日: 2011-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A.K.辛格;遠藤大三;V.S.孔;陳小東
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工HD新加坡有限公司
• 主分類號: G11B5/667
• 分類號: G11B5/667;G11B5/851
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 段承恩;田欣

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁記錄再生裝置。

本申請基于在2008年12月1日在日本提出申請的專利申請2008-306655號要求優(yōu)先權(quán)，將其內(nèi)容援引于本申請中。

背景技術(shù)

作為磁記錄再生裝置的一種的硬盤裝置(HDD)，現(xiàn)在其記錄密度正以每年50％以上的增長率增加，一般認為今后該傾向也會持續(xù)。適合于高記錄密度的磁頭和磁記錄介質(zhì)的開發(fā)正在隨之推進。

現(xiàn)在，市售的磁記錄再生裝置所搭載的磁記錄介質(zhì)，是磁性膜內(nèi)的易磁化軸主要垂直地取向的所謂的垂直磁記錄介質(zhì)。垂直磁記錄介質(zhì)在高記錄密度化時記錄位間的邊界區(qū)域中的反磁場的影響也小，可形成鮮明的位邊界，因此噪聲的增加受到抑制。而且，隨著高記錄密度化的記錄位體積的減少較少，因此也抗熱擺效應。因此，近年引起了較大的關(guān)注，曾提出了適合于垂直磁記錄的介質(zhì)的結(jié)構(gòu)。

另外，為了對應于磁記錄介質(zhì)的更加高記錄密度化這樣的迫切要求，曾研究了使用對于垂直磁性層的寫入能力優(yōu)異的單磁極磁頭。為了對應于這樣的單磁極磁頭，曾提出了通過在作為記錄層的垂直磁性層和非磁性基板之間設(shè)置包含軟磁性材料的軟磁性基底層，從而使單磁極磁頭和磁記錄介質(zhì)之間的磁通的出入的效率提高的、所謂的雙層磁記錄介質(zhì)。

即，該雙層磁記錄介質(zhì)中，有通過軟磁性基底層的鏡像效果，增強來自磁記錄頭的主磁極的記錄磁場，使記錄磁場空間性地集中來使記錄磁場的梯度增大的作用。

但是，僅使用簡單地設(shè)置了軟磁性基底層的磁記錄介質(zhì)時，并不能滿足記錄再生時的記錄再生特性、熱擺耐性、記錄分辨率，迫切要求這些特性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。

例如，專利文獻1記載了在非磁性基板上隔著襯里磁性層設(shè)有垂直磁化膜和保護潤滑膜的垂直磁記錄介質(zhì)，其中，通過使襯里磁性層反鐵磁性耦合，實現(xiàn)在防止從襯里磁性層的磁疇壁產(chǎn)生的漏磁通流入再生頭的同時，進行固定以使得存在于襯里磁性層中的磁疇壁不易移動，并具有低噪聲特性的垂直磁記錄介質(zhì)。

另外，專利文獻2記載了通過由多層形成軟磁性層，并在各軟磁性層之間設(shè)置分離層，來提高軟磁性層的磁導率，將磁記錄層的磁化遷移區(qū)域的漏磁場和來自磁頭的磁場引入軟磁性層中，使被記錄在磁記錄層的磁穩(wěn)定化，并且更有效地引出來自磁頭的寫入磁場。

再者，專利文獻3記載了Fe∶Co＝65∶35的軟磁性合金，并且，記載了對該合金添加Ta。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻1：日本特開2001-331920號公報

專利文獻2：日本特開2001-250223號公報

專利文獻3：日本特開2008-135137號公報

發(fā)明內(nèi)容

在使用了上述的垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置中，為了防止從軟磁性基底層的磁疇壁產(chǎn)生的漏磁通流入磁頭，并進行固定以使得存在于軟磁性基底層中的磁疇壁不易移動，實現(xiàn)低噪聲特性，優(yōu)選由多層構(gòu)成軟磁性基底層，使各層反鐵磁性耦合(antiferromagnetic?coupling，以下，稱為AFC)。

另一方面，為了將磁記錄層的磁化遷移區(qū)域的漏磁場和來自磁頭的磁場引入軟磁性層，使被記錄在磁記錄層的磁穩(wěn)定化，并且更有效地引出來自磁頭的寫入磁場，必須提高軟磁性基底層的磁導率。

在此，使軟磁性基底層反鐵磁性耦合的條件和提高軟磁性基底層的磁導率的條件未必一致。例如，在上述專利文獻2所記載的結(jié)構(gòu)中，將軟磁性基底層多層化來提高磁導率，但該結(jié)構(gòu)并未使已多層化的軟磁性層反鐵磁性耦合。

本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)有的狀況而完成的，其目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)軟磁性基底層的高磁導率和反鐵磁性耦合這兩者的磁記錄介質(zhì)及其制造方法、以及具備這樣的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置。

本發(fā)明提供以下的方案。

(1)一種磁記錄介質(zhì)，是在非磁性基板之上至少層疊使多個軟磁性層反鐵磁性耦合的軟磁性基底層、和易磁化軸相對于上述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性層而成的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，

上述軟磁性層以Fe為第1主成分，以Co為第2主成分，還含有Ta，

上述軟磁性基底層利用根據(jù)被夾在上述多個軟磁性層之間的分隔層的厚度而變化的反鐵磁性耦合力的第2個及其以后顯現(xiàn)的峰來反鐵磁性耦合，并且，其磁導率為1000H/m以上。

(2)根據(jù)前項(1)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述軟磁性層以Fe∶Co(原子比)＝60∶40～70∶30的范圍含有Fe和Co，還含有13～16原子％的范圍的Ta。

(3)根據(jù)前項(1)或(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述軟磁性基底層利用第2個顯現(xiàn)的反鐵磁性耦合力的峰來反鐵磁性耦合。