[發明專利]磁記錄介質及其制造方法以及磁記錄再生裝置有效
| 申請號： | 200980147723.1 | 申請日： | 2009-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN102227771A | 公開（公告）日： | 2011-10-26 |
| 發明（設計）人： | A.K.辛格;遠藤大三;V.S.孔;陳小東 | 申請（專利權）人： | 昭和電工HD新加坡有限公司 |
| 主分類號： | G11B5/667 | 分類號： | G11B5/667;G11B5/851 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 新加坡*** | 國省代碼： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 記錄 介質 及其 制造 方法 以及 再生 裝置 | ||
1.一種磁記錄介質，是在非磁性基板之上至少層疊使多個軟磁性層反鐵磁性耦合的軟磁性基底層、和易磁化軸相對于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性層而成的磁記錄介質，其特征在于，
所述軟磁性層以Fe為第1主成分，以Co為第2主成分，還含有Ta，
所述軟磁性基底層利用根據被夾在所述多個軟磁性層之間的分隔層的厚度而變化的反鐵磁性耦合力的第2個及其以后顯現的峰來反鐵磁性耦合，并且，其磁導率為1000H/m以上。
2.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述軟磁性層以原子比Fe∶Co＝60∶40～70∶30的范圍含有Fe和Co，還含有13～16原子％的范圍的Ta。
3.根據權利要求1或2所述的磁記錄介質，其特征在于，所述軟磁性基底層利用第2個顯現的反鐵磁性耦合力的峰來反鐵磁性耦合。
4.一種磁記錄介質的制造方法，所述磁記錄介質是在非磁性基板之上至少層疊使多個軟磁性層反鐵磁性耦合的軟磁性基底層和易磁化軸相對于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性層而成的磁記錄介質，該制造方法的特征在于，
形成以Fe為第1主成分，以Co為第2主成分，還含有Ta的軟磁性層，
形成軟磁性基底層，該軟磁性基底層利用根據被夾在所述多個軟磁性層之間的分隔層的厚度而變化的反鐵磁性耦合力的第2個及其以后顯現的峰進行反鐵磁性耦合，并且，其磁導率為1000H/m以上，
在采用濺射法形成所述垂直磁性層側的軟磁性層時，對所述非磁性基板施加-150～-400V的范圍的負偏壓。
5.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備：
權利要求1～3的任一項所述的磁記錄介質或者采用權利要求4所述的制造方法制造的磁記錄介質；和對于所述磁記錄介質進行信息的記錄再生的磁頭。
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