[發明專利]半導體陶瓷以及正溫度系數熱敏電阻有效
| 申請號： | 200980147310.3 | 申請日： | 2009-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN102224119A | 公開（公告）日： | 2011-10-19 |
| 發明（設計）人： | 岸本敦司;勝勇人;后藤正人;阿部直晃;中山晃慶 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | C04B35/46 | 分類號： | C04B35/46;H01C7/02 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 樊建中 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 陶瓷 以及 溫度 系數 熱敏電阻 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體陶瓷，其為實質不含Pb的非鉛系的半導體陶瓷，
所述半導體陶瓷以用一般式AmBO3來表示的具有鈣鈦礦型構造的BamTiO3系組成物為主成分，
按照A位和B位的摩爾比m成為1.001≤m≤1.01的方式來進行配制，并且，
用Na、Bi、Ca、以及稀土類元素來置換構成A位的Ba的一部分，且
在設構成所述A位的元素的總摩爾數為1摩爾時，所述Ca的含有量換算為摩爾比是0.05～0.20。
2.根據權利要求1所述的半導體陶瓷，其特征在于，
所述摩爾比m為1.001≤m≤1.004。
3.根據權利要求1或2所述的半導體陶瓷，其特征在于，
所述Ca的含有量換算為摩爾比是0.125～0.175。
4.一種正溫度系數熱敏電阻，其在部件基體的表面形成有一對外部電極，
所述部件基體由權利要求1～3中任一項所述的半導體陶瓷形成。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社村田制作所，未經株式會社村田制作所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980147310.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種用于輸電線路接地故障自動定位裝置的通訊終端
- 下一篇：導管對接
