[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)射輻射的有機(jī)器件和用于制造這種器件的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980143762.4 | 申請(qǐng)日: | 2009-10-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102203973A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-09-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 邁克爾·波普;尼納·里格爾 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L51/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L51/00 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)射 輻射 有機(jī) 器件 用于 制造 這種 方法 | ||
提出了一種用于制造發(fā)射輻射的有機(jī)器件的方法。此外,提出了一種發(fā)射輻射的有機(jī)器件。
出版物US?7,285,907B2描述了一種發(fā)射輻射的有機(jī)器件。
要解決的任務(wù)在于,提出一種發(fā)射輻射的有機(jī)器件,其相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)可以更簡(jiǎn)單地制造。另一要解決的任務(wù)尤其在于,提出一種用于制造這種器件的方法。
根據(jù)用于制造發(fā)射輻射的有機(jī)器件的方法的至少一個(gè)實(shí)施形式,在制造該器件時(shí)產(chǎn)生發(fā)射輻射的區(qū)域。該器件的發(fā)射輻射的區(qū)域是如下區(qū)域,在對(duì)器件施加電流時(shí)(即在器件工作中)該區(qū)域產(chǎn)生電磁輻射。于是,該器件的發(fā)射輻射的區(qū)域包括至少一個(gè)層,在其中通過(guò)載流子復(fù)合而產(chǎn)生電磁輻射。
根據(jù)本方法的至少一個(gè)實(shí)施形式,在制造該器件的發(fā)射輻射的區(qū)域時(shí)產(chǎn)生包含發(fā)射體材料的至少一個(gè)層。該層是發(fā)射層,在該器件工作時(shí)在該發(fā)射層中借助載流子的復(fù)合而產(chǎn)生電磁輻射。發(fā)射體材料優(yōu)選地為有機(jī)材料。
根據(jù)用于制造發(fā)射輻射的有機(jī)器件的方法的至少一個(gè)實(shí)施形式,借助原子層沉積(ALD-Atomic?Layer?Deposition)來(lái)制造包含發(fā)射體材料的至少一個(gè)層。原子層沉積是化學(xué)氣相淀積(CVD-Chemical?Vapor?Deposition)的一種變型方案。在此,在原子層沉積時(shí),以循環(huán)方式進(jìn)行層生長(zhǎng)。在此,在每個(gè)循環(huán)中沉積一定量的要沉積的材料。在此,每個(gè)循環(huán)可以持續(xù)大約0.5秒至數(shù)秒之間,其中每個(gè)循環(huán)產(chǎn)生的所沉積的層的厚度為大約至也就是說(shuō),借助原子層淀積可以產(chǎn)生小的發(fā)射層的層厚度。在此,層厚度僅僅與循環(huán)的數(shù)目有關(guān),這實(shí)現(xiàn)特別精確和簡(jiǎn)單地控制層厚度。也就是說(shuō),通過(guò)控制涂覆時(shí)間可以以非常簡(jiǎn)單的方式特別精確地生長(zhǎng)預(yù)給定的層厚度。因此,原子層沉積是可以特別良好地復(fù)制的方法。
根據(jù)用于制造發(fā)射輻射的有機(jī)器件的方法的至少一個(gè)實(shí)施形式,包含發(fā)射體材料的至少一個(gè)層的厚度小于5nm、優(yōu)選最高2nm。此外,然而更薄的層厚度也是可能的。于是可能的是,包含發(fā)射體材料的層的厚度最高為單層或者處于亞單層范圍中。
也就是說(shuō),借助原子層沉積,產(chǎn)生非常薄的發(fā)射層是可能的。發(fā)射體材料的量(也就是說(shuō),發(fā)射體材料的摻雜濃度)可以以特別簡(jiǎn)單的方式通過(guò)發(fā)射體材料的沉積的持續(xù)時(shí)間來(lái)確定。以該方式省去了對(duì)沉積率的繁瑣的、否則必要的且費(fèi)時(shí)的穩(wěn)定,如其例如在其他氣相淀積中情況如此。此外,借助原子層沉積,可以特別良好地將多種材料的組合、例如空穴導(dǎo)電的材料和電子導(dǎo)電的材料的組合。
在此可能的是,發(fā)射輻射的區(qū)域的所有層借助原子層沉積來(lái)制造。也就是說(shuō),總的發(fā)射輻射的區(qū)域于是借助原子層沉積來(lái)制造。
根據(jù)在此描述的用于制造發(fā)射輻射的有機(jī)器件的方法的至少一個(gè)實(shí)施形式,在該器件的發(fā)射輻射的區(qū)域中產(chǎn)生包含發(fā)射體材料的至少一個(gè)層,其中該層借助原子層沉積來(lái)制造。在此,該層的厚度為最高2nm。
此外,提出了一種發(fā)射輻射的有機(jī)器件。根據(jù)發(fā)射輻射的有機(jī)器件的至少一個(gè)實(shí)施形式,該器件包括發(fā)射輻射的區(qū)域,在該器件工作中在該區(qū)域中產(chǎn)生電磁輻射。電磁輻射優(yōu)選通過(guò)載流子復(fù)合來(lái)產(chǎn)生。
在此,根據(jù)發(fā)射輻射的有機(jī)器件的至少一個(gè)實(shí)施形式,該發(fā)射輻射的器件包括至少一個(gè)層,其包含發(fā)射體材料并且具有最高2nm的厚度。
由發(fā)射體材料構(gòu)成或者具有發(fā)射體材料的這樣薄的層可以特別簡(jiǎn)單地借助原子層沉積來(lái)制造。由于具有發(fā)射體材料的這樣薄的層,在具有發(fā)射體材料的該層中可以特別有效地注入和提高載流子俘獲。因此,在此所描述的器件的特征在于提高的效率。此外,由于該器件的各個(gè)層使用原子層沉積,所以將層厚度控制在單分子范圍和亞分子范圍以下是可能的。也就是說(shuō),在單分子范圍和亞分子范圍以下,可以以氣相沉積工藝制造任意材料組合,由此解除了在發(fā)射輻射的區(qū)域中的層序列的嚴(yán)格劃分。這實(shí)現(xiàn):制造如下發(fā)射輻射的有機(jī)器件,該器件可以特別良好地適配于其使用要求。與其相比,已知的發(fā)射輻射的有機(jī)器件表現(xiàn)出具有有限的層數(shù)量和在5nm范圍中的最小層厚度的層構(gòu)造。在此,層構(gòu)造嚴(yán)格地分成如下功能層,諸如電子導(dǎo)體和空穴導(dǎo)體、電子勢(shì)壘層和空穴勢(shì)壘層以及具有發(fā)射體材料的層。
在下文中提及了在此描述的方法以及在此描述的發(fā)射輻射的有機(jī)器件的有利實(shí)施形式。在此,在本上下文中公開(kāi)的特征分別既涉及制造方法,又涉及要制造的發(fā)射輻射的有機(jī)器件。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專(zhuān)門(mén)適用于感應(yīng)紅外線(xiàn)輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專(zhuān)門(mén)適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
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- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
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