[發明專利]以氧化鋅為主要成分的透明導電膜的紋理加工液及具有凹凸的透明導電膜的制造方法無效
| 申請號: | 200980143613.8 | 申請日: | 2009-10-05 |
| 公開(公告)號: | CN102203952A | 公開(公告)日: | 2011-09-28 |
| 發明(設計)人: | 松原將英;岡部哲 | 申請(專利權)人: | 三菱瓦斯化學株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氧化鋅 主要成分 透明 導電 紋理 加工 具有 凹凸 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及在具有高光電轉換效率的薄膜太陽能電池的制造中使用的用于對以氧化鋅為主要成分的透明導電膜表面賦予具有凹凸的紋理的加工液及具有凹凸的透明導電膜的制造方法。
背景技術
近年來,由于對化石能源的枯竭問題的關注的提高,作為其替代能源的太陽光發電(太陽能電池)受到矚目。太陽能電池市場上技術開發不斷發展的硅系太陽能電池很早就已實用化,其中光電轉換效率優異的晶體硅太陽能電池被廣泛使用。但是,晶體硅太陽能電池由于制造上難以薄膜化因而原料硅被大量消耗,因此被指出供給不穩定的問題。此外,由于批量生產時無法大面積化,所以還具有耗費生產成本的問題。另一方面,作為解決這些問題的方法,以非晶硅作為光電轉換層的太陽能電池受到矚目。非晶硅由于通過CVD(Chemical?Vapor?Deposition,化學氣相沉積)而成膜,所以還可自如地控制膜厚,且生產中也能夠實現大型化,所以目前其技術開發不斷發展。
在非晶硅薄膜太陽能電池中,如果i層的膜厚較厚,則懸掛鍵(膜中的缺陷)增加而導致效率降低,所以必須減小其光電轉換層的厚度。因此,需要開發有效利用入射光的陷光技術。
陷光技術是指如下技術:在光電轉換層與透明導電層的界面形成具有凹凸的紋理,使光在該界面散射,從而增加光程,增大光在光電轉換層中的吸收量。
此外,在透明導電層的上部通過CVD而形成p型及i型、n型的非晶硅層,但凸部為銳角時或者凹部較深時,p型硅層的覆蓋性變差,所以期望覆蓋性良好的形狀。
表面具有凹凸的透明導電膜例如通過在玻璃基板上利用CVD法形成氧化錫膜而獲得,但通過本制法制造的帶透明電極的玻璃基板的制造商有限,所以供給不穩定。
此外,還研究了通過濺射法在玻璃基板上形成氧化鋅膜后,利用酸或堿進行處理而形成凹凸的方法。專利文獻1中公開了一種太陽能電池用基板的制造方法,其特征在于,通過在基板上形成由氧化鋅構成的透明導電膜,并用酸性或堿性水溶液對該透明導電膜進行蝕刻,從而在表面形成凹凸。專利文獻2中公開了一種太陽能電池用基板的制造方法,其特征在于,在基板上形成由氧化鋅構成的透明導電膜,并使用由酸性或堿性水溶液組成的蝕刻液對該透明導電膜至少實施2次蝕刻,從而在表面形成凹凸。
但是,根據這些技術,僅以單純的酸性或堿性溶液進行蝕刻處理,陷光效果不充分,結果是發電效率不充分。
專利文獻1:日本特開平11-233800號公報
專利文獻2:日本特開2004-119491號公報
發明內容
發明要解決的問題
如上所述,就迄今為止所公開的技術而言,陷光效果并不充分,無法獲得高光電轉換效率。本發明是鑒于上述課題而進行的,提供用于獲得高光電轉換效率的透明導電膜的紋理加工液及加工方法。
用于解決問題的方案
本發明的特征在于,能夠使以氧化鋅為主要成分的透明導電膜的表面形成用以提高陷光效果的具有凹凸的紋理的紋理加工液是含有聚丙烯酸或其鹽和酸性成分的水溶液。此外,其特征還在于,作為紋理的加工方法,用上述紋理加工液進行接觸處理后,用堿性水溶液對該透明導電膜表面進行接觸處理,從而提高光電轉換效率。
即,本申請發明的主旨如下所述。
1.一種紋理加工液,其特征在于,其是在包含以氧化鋅為主要成分的透明導電膜的太陽能電池的制造工序中用于在該透明導電膜的表面形成具有凹凸的紋理的、含有聚丙烯酸或其鹽和酸性成分的酸性水溶液。
2.根據上述1所述的紋理加工液,其特征在于,所述酸性水溶液的pH值為6.5以下。
3.根據上述1所述的紋理加工液,其特征在于,聚丙烯酸的重均分子量為2000~10000。
4.根據上述1所述的紋理加工液,其特征在于,聚丙烯酸的鹽為聚丙烯酸銨。
5.根據上述1所述的紋理加工液,其特征在于,聚丙烯酸或其鹽的濃度為0.1質量%~3.0質量%。
6.根據上述1所述的紋理加工液,其特征在于,酸性成分為選自醋酸、檸檬酸、乳酸、蘋果酸、乙醇酸、酒石酸、鹽酸、硫酸及硝酸中的1種以上。
7.根據上述1所述的紋理加工液,其特征在于,酸性成分的濃度為0.01質量%~30質量%。
8.一種透明導電膜的制造方法,其特征在于,在基板上制作以氧化鋅為主要成分的透明導電膜,并使該透明導電膜與上述1~7中任一項所述的紋理加工液接觸,從而在該透明導電膜的表面形成具有凹凸的紋理,然后用pH值為12以上的堿性水溶液對該紋理的表面進行接觸處理。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





