[發(fā)明專利]包括電壓感測監(jiān)控接口的存儲(chǔ)器模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980143332.2
• 申請(qǐng)日: 2009-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN102203745A
• 公開（公告）日: 2011-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D.卡爾;M.B.卡爾霍恩;T.李;L.沃恩斯;D.吳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠普開發(fā)有限公司
• 主分類號(hào): G06F12/00
• 分類號(hào): G06F12/00;G06F13/14;G06F1/26
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李娜;王洪斌

背景技術(shù)

計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、通信裝置、工作站等等將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器模塊中，所述存儲(chǔ)器模塊典型地通過單個(gè)模塊接口連接器從主板接收預(yù)先調(diào)節(jié)的電功率。通常，提供多個(gè)調(diào)節(jié)的偏置電壓，并且這些偏置電壓可以包括例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）存儲(chǔ)器集成電路（IC）正電源電壓（V_DD）、DRAM輸入/輸出（I/O）驅(qū)動(dòng)器正電源電壓（V_DDQ）以及DRAM?I/O參考電源電壓（V_REF）。V_REF通常為低電流并且通過單個(gè)輸入管腳供應(yīng)。V_DD和V_DDQ以及相應(yīng)的回線（V_SS和V_SSQ）通過沿著模塊接口連接器分布的多個(gè)管腳施加。

出于若干原因，存儲(chǔ)器模塊功率系統(tǒng)在維持恒定的參考電壓方面具有困難。例如，來自存儲(chǔ)器模塊上的存儲(chǔ)器裝置集成電路的調(diào)節(jié)器輸出的遠(yuǎn)程位置限制了調(diào)節(jié)器瞬態(tài)負(fù)載響應(yīng)時(shí)間。用來解決調(diào)節(jié)器輸出電流供應(yīng)的寬范圍的大輸出電容附加地限制了瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間。此外，系統(tǒng)板開關(guān)調(diào)節(jié)產(chǎn)生施加到存儲(chǔ)器模塊偏置電壓上的高頻開關(guān)噪聲，改變存儲(chǔ)器模塊的定時(shí)并且限制實(shí)際的存儲(chǔ)器工作速度。

為了甚至對(duì)于大的存儲(chǔ)器獲得更高速度的存儲(chǔ)器模塊性能，要解決重要的限制因素，包括與存儲(chǔ)器系統(tǒng)功率生成、調(diào)節(jié)和分布關(guān)聯(lián)的因素。

隨著存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)步以及電壓降低以改善功耗，電壓容差（tolerance）也減小。跨存儲(chǔ)器子系統(tǒng)在存儲(chǔ)器模塊（例如雙列直插存儲(chǔ)器模塊（DIMM））上維持規(guī)定的電壓電平變得困難得多?？缇哂胁煌β室?guī)范的多個(gè)存儲(chǔ)器配置維持規(guī)定的電壓電平是特別困難的，從而造成跨功率平面的功率降低。

發(fā)明內(nèi)容

存儲(chǔ)器裝置和系統(tǒng)的實(shí)施例包括用于解決跨可變載荷的電壓容差的電壓感測線。該存儲(chǔ)器裝置和系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器模塊連接器，該存儲(chǔ)器模塊連接器具有：第一多個(gè)管腳，其耦合到存儲(chǔ)器模塊上的電路系統(tǒng)；以及第二多個(gè)管腳，其耦合到存儲(chǔ)器模塊上的功率導(dǎo)軌，使得能夠從存儲(chǔ)器模塊外部監(jiān)控這些功率導(dǎo)軌。

附圖說明

涉及結(jié)構(gòu)和操作方法的本發(fā)明實(shí)施例可以通過參照以下說明和附圖來最好地理解：

圖1A-1F為描繪存儲(chǔ)器設(shè)備的實(shí)施例的示意性框圖和電路圖，這些實(shí)施例包括用于解決（address）跨可變載荷的電壓容差的電壓感測線；

圖2A、圖2B和圖2C為示出將片上終結(jié)器（on-die?termination）用于存儲(chǔ)器信號(hào)線的系統(tǒng)實(shí)施例的示意性框圖和電路圖；

圖3A-3D為示出用于管理計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器中的功率的方法的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或方面的流程圖；以及

圖4為示出常規(guī)功率管理方法的示意性框圖和電路圖，其中感測線典型地置于系統(tǒng)板上以便實(shí)現(xiàn)功率平面的平均讀?。╮eading）。

具體實(shí)施方式

存儲(chǔ)器裝置和系統(tǒng)的各個(gè)實(shí)施例包括電壓感測線，這些電壓感測線被添加到存儲(chǔ)器模塊管腳定義以管理跨可變載荷的功率，從而在諸如DRAM之類的存儲(chǔ)器裝置處實(shí)現(xiàn)規(guī)定電壓的改善的維持。

本文公開了存儲(chǔ)器裝置和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，其實(shí)現(xiàn)負(fù)載處的電壓感測并且可以通過直接從存儲(chǔ)器模塊上的接近存儲(chǔ)器集成電路的功率導(dǎo)軌感測調(diào)節(jié)的偏置電壓而顯著提高滿足跨可變載荷的嚴(yán)格容差的能力。相對(duì)照的是，常規(guī)的系統(tǒng)感測系統(tǒng)板上的功率導(dǎo)軌，這對(duì)于諸如全緩沖雙列直插存儲(chǔ)器模塊（FBD）、雙數(shù)據(jù)速率-3（DDR3）DRAM之類的新技術(shù)以及可能的未來技術(shù)是不夠的。其中例如在雙列直插存儲(chǔ)器模塊（DIMM）上接近DRAM感測動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）功率導(dǎo)軌的說明性存儲(chǔ)器裝置和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)使得能夠維持嚴(yán)格的電壓要求。

參照?qǐng)D1A，示意性框圖和電路圖繪出了存儲(chǔ)器設(shè)備100A的實(shí)施例，其包括用于解決跨可變載荷的電壓容差的電壓感測線。存儲(chǔ)器設(shè)備100A包括存儲(chǔ)器模塊連接器102，該存儲(chǔ)器模塊連接器具有：第一多個(gè)管腳104，其耦合到存儲(chǔ)器模塊106上的電路系統(tǒng)；以及第二多個(gè)管腳108，其耦合到存儲(chǔ)器模塊106上的功率導(dǎo)軌110，使得能夠從存儲(chǔ)器模塊106外部監(jiān)控功率導(dǎo)軌110。

存儲(chǔ)器模塊106進(jìn)一步包括存儲(chǔ)器模塊連接器102、耦合到存儲(chǔ)器模塊連接器102的電路板112以及安裝到電路板112的多個(gè)集成電路114。

第二多個(gè)管腳108對(duì)應(yīng)于電壓感測線，這些電壓感測線路由來自存儲(chǔ)器模塊106上的功率導(dǎo)軌110的信號(hào)以用于存儲(chǔ)器模塊106外部的功率感測。