[發(fā)明專(zhuān)利]有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200980143108.3
• 申請(qǐng)日: 2009-08-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102197336A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-09-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 津幡俊英
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1343
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在1個(gè)像素區(qū)域設(shè)有多個(gè)像素電極的有源矩陣基板以及使用該有源矩陣基板的液晶顯示裝置(像素分割方式)。

背景技術(shù)

提出了一種液晶顯示裝置(像素分割方式，例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)，其為了提高液晶顯示裝置的γ特性的視場(chǎng)角依賴(lài)性(例如，抑制畫(huà)面的泛白等)，將對(duì)1像素設(shè)置的多個(gè)子像素控制成不同的亮度，利用這些子像素的面積灰度級(jí)來(lái)顯示中間灰度級(jí)。

在專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載的有源矩陣基板中(參照?qǐng)D36)，在1個(gè)像素區(qū)域配置2個(gè)像素電極190a、190b，晶體管的源極電極178連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)171，漏極電極175通過(guò)接觸孔185連接到像素電極190a。另外，耦合電極176通過(guò)擴(kuò)展部177連接到晶體管的漏極電極175。并且，耦合電極176和像素電極190b重疊，在該重疊部分形成有耦合電容(電容耦合型的像素分割方式)。

在使用了該有源矩陣基板的液晶顯示裝置中，能將與像素電極190a對(duì)應(yīng)的子像素設(shè)為亮子像素，將與像素電極190b對(duì)應(yīng)的子像素設(shè)為暗子像素，并能利用這些亮子像素、暗子像素的面積灰度級(jí)來(lái)顯示中間灰度級(jí)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本公開(kāi)專(zhuān)利公報(bào)“特開(kāi)2006-221174號(hào)公報(bào)(公開(kāi)日：2006年8月24日)”

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問(wèn)題

但是，在上述有源矩陣基板中，因?yàn)樵谙袼仉姌O190b與耦合電極176的重疊部分形成有耦合電容，所以為了充分確保耦合電容的值，需要擴(kuò)大耦合電極176的面積，這成為開(kāi)口率降低的主要原因。

本發(fā)明的目的在于：在電容耦合型的像素分割方式的有源矩陣基板中提高其開(kāi)口率。

用于解決問(wèn)題的方案

本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于，其在1個(gè)像素區(qū)域設(shè)有通過(guò)晶體管連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的第1像素電極以及通過(guò)電容連接到該第1像素電極的第2像素電極，該有源矩陣基板具備與第2像素電極電連接的第1電容電極以及與第1像素電極電連接的第2電容電極，該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第2像素電極之間的層，第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊，由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容，第2電容電極和第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊，由此在第2電容電極與第2像素電極間形成有電容。

根據(jù)上述構(gòu)成，在基板的厚度方向形成2個(gè)耦合電容(形成于第1電容電極和第2電容電極間的電容、以及形成于第2電容電極和第2像素電極間的電容)，并且使這2個(gè)耦合電容并聯(lián)，能通過(guò)并聯(lián)的這2個(gè)耦合電容連接第1像素電極和第2像素電極。因此，能在不改變耦合電容的值的情況下減小第2電容電極的面積來(lái)提高開(kāi)口率，或者在不改變第2電容電極的面積的情況下(即，不改變開(kāi)口率的情況下)增大耦合電容的值。

在該情況下，也能構(gòu)成為：第2像素電極和第1電容電極通過(guò)貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的接觸孔連接。另外，也能構(gòu)成為：上述晶體管的1個(gè)導(dǎo)通電極和第1像素電極通過(guò)接觸孔連接，第1像素電極和第2電容電極通過(guò)與上述接觸孔不同的接觸孔連接。

另外，本發(fā)明的有源矩陣基板的特征在于，在1個(gè)像素區(qū)域設(shè)有通過(guò)晶體管連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)的第1像素電極以及通過(guò)電容連接到該第1像素電極的第2像素電極，該有源矩陣基板具備與第1像素電極電連接的第1電容電極以及與第2像素電極電連接的第2電容電極，

該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第1像素電極之間的層，第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊，由此在第1電容電極和第2電容電極間形成有電容，第2電容電極和第1像素電極隔著第2絕緣膜重疊，由此在第2電容電極和第1像素電極間形成有電容。

根據(jù)上述構(gòu)成，在基板的厚度方向形成2個(gè)耦合電容(形成于第1電容電極與第2電容電極間的電容、以及形成于第2電容電極與第1像素電極間的電容)，并且使這2個(gè)耦合電容并聯(lián)，能通過(guò)并聯(lián)的這2個(gè)耦合電容連接第1像素電極和第2像素電極。因此，能在不改變耦合電容的值的情況下減小第2電容電極的面積來(lái)提高開(kāi)口率，或者在不改變第2電容電極的面積的情況下(即，不改變開(kāi)口率的情況下)增大耦合電容的值。

在該情況下，也能構(gòu)成為：第1像素電極和第1電容電極利用貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的接觸孔連接。

在本有源矩陣基板中，也能構(gòu)成為：第1電容電極與掃描信號(hào)線(xiàn)形成于同層。另外，也能構(gòu)成為：第2電容電極與數(shù)據(jù)信號(hào)線(xiàn)形成于同層。