[發(fā)明專利]有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980143108.3 | 申請日: | 2009-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN102197336A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 津幡俊英 | 申請(專利權(quán))人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務(wù)所 11323 | 代理人: | 權(quán)鮮枝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有源 矩陣 液晶面板 液晶顯示 單元 液晶 顯示裝置 電視接收機 | ||
1.一種有源矩陣基板,其特征在于,在1個像素區(qū)域設(shè)有通過晶體管連接到數(shù)據(jù)信號線的第1像素電極以及通過電容連接到該第1像素電極的第2像素電極,
該有源矩陣基板具備與第2像素電極電連接的第1電容電極以及與第1像素電極電連接的第2電容電極,
該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第2像素電極之間的層,
第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容,第2電容電極和第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極與第2像素電極間形成有電容。
2.一種有源矩陣基板,其特征在于,在1個像素區(qū)域設(shè)有通過晶體管連接到數(shù)據(jù)信號線的第1像素電極以及通過電容連接到該第1像素電極的第2像素電極,
該有源矩陣基板具備與第1像素電極電連接的第1電容電極以及與第2像素電極電連接的第2電容電極,
該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第1像素電極之間的層,
第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容,第2電容電極和第1像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極與第1像素電極間形成有電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1電容電極與掃描信號線形成于同層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中的任一項所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2電容電極與數(shù)據(jù)信號線形成于同層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中的任一項所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2絕緣膜的厚度小于等于第1絕緣膜的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中的任一項所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1絕緣膜為柵極絕緣膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6中的任一項所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2絕緣膜為覆蓋晶體管的溝道的層間絕緣膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中的任一項所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1電容電極具有平行的2條邊,并且第2電容電極也具有平行的2條邊,當俯視時,第1電容電極的兩邊緣位于第2電容電極的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~7中的任一項所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1電容電極具有平行的2條邊,并且第2電容電極也具有平行的2條邊,當俯視時,第2電容電極的兩邊緣位于第1電容電極的兩邊緣的內(nèi)側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板,其特征在于,具備與第1像素電極和第2像素電極分別重疊的保持電容配線。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板,其特征在于,第2像素電極和第1電容電極通過貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的接觸孔連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板,其特征在于,上述晶體管的1個導(dǎo)通電極和第1像素電極通過接觸孔連接,第1像素電極和第2電容電極通過與上述接觸孔不同的接觸孔連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板,其特征在于,第1像素電極和第1電容電極通過貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的接觸孔連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板,其特征在于,上述第1電容電極、從晶體管的一方導(dǎo)通電極引出的漏極引出電極、以及第1像素電極通過貫穿第1絕緣膜和第2絕緣膜的同一接觸孔連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有源矩陣基板,其特征在于,在上述漏極引出電極中設(shè)有與上述接觸孔的開口及第1電容電極重疊的挖穿部或缺口部。
16.一種有源矩陣基板,其特征在于,在1個像素區(qū)域設(shè)有:第1像素電極,其與晶體管電連接;第2像素電極;第1電容電極,其與第2像素電極電連接;以及第2電容電極,其與上述晶體管電連接,
該第2電容電極配置于上述第1電容電極與第2像素電極之間的層,
第1電容電極和第2電容電極隔著第1絕緣膜重疊,由此在第1電容電極與第2電容電極間形成有電容,第2電容電極和第2像素電極隔著第2絕緣膜重疊,由此在第2電容電極與第2像素電極間形成有電容。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有源矩陣基板,其特征在于,具備與上述第2電容電極在同層連接的第3電容電極以及與該第3電容電極形成電容的保持電容配線。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于夏普株式會社,未經(jīng)夏普株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200980143108.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
- 在集成電路器件中求解線性矩陣
- 矩陣計算裝置、矩陣計算方法
- 一種數(shù)據(jù)聚類的方法、裝置及Spark大數(shù)據(jù)平臺
- 適用于黑白圖片的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)方法以及訓(xùn)練方法
- 適用于灰度圖片的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)方法以及訓(xùn)練方法
- 矩陣
- 矩陣/密鑰生成裝置、矩陣/密鑰生成系統(tǒng)、矩陣結(jié)合裝置、矩陣/密鑰生成方法、程序
- 矩陣運算電路、矩陣運算裝置及矩陣運算方法
- 矩陣乘法計算方法和裝置
- 數(shù)據(jù)讀取方法、裝置、介質(zhì)和計算設(shè)備





