[發明專利]樹脂多層器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200980142898.3
• 申請日: 2009-11-13
• 公開（公告）號: CN102197533A
• 公開（公告）日: 2011-09-21
• 發明（設計）人: 上道雄介;相沢卓也;中尾知
• 申請（專利權）人: 株式會社藤倉
• 主分類號: H01P5/10
• 分類號: H01P5/10;H01L23/12;H01P11/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;王軼

1.一種樹脂多層器件，其特征在于，具備：

基板、形成在所述基板上的第1樹脂層、在所述第1樹脂層上電氣獨立設置的第1及第2平衡信號傳輸路徑、形成在所述第1及第2平衡信號傳輸路徑上以及所述第1樹脂層上的第2樹脂層、在所述第2樹脂層上與所述第1及第2平衡信號傳輸路徑對置設置的不平衡信號傳輸路徑、和形成在所述不平衡信號傳輸路徑上以及所述第2樹脂層上的第3樹脂層，

所述第1平衡信號傳輸路徑具有第1信號輸出輸入端和第1接地端，

所述第2平衡信號傳輸路徑具有第2信號輸出輸入端和第2接地端，

所述不平衡信號傳輸路徑具有信號輸入輸出端和開放端。

2.根據權利要求1所述的樹脂多層器件，其特征在于，

還具備形成在所述基板上并且位于所述第1樹脂層之下的第1GND層。

3.根據權利要求1所述的樹脂多層器件，其特征在于，

還具備形成在所述基板之下的第1GND層。

4.根據權利要求1所述的樹脂多層器件，其特征在于，

還具備位于所述第1及第2平衡信號傳輸路徑以及所述不平衡信號傳輸路徑的旁邊的第1GND層。

5.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，

還具備形成在所述第3樹脂層上的第2GND層。

6.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，所述基板是被植入了IC的半導體基板，

所述第1及第2平衡信號傳輸路徑的接地端分別與所述第1GND層連接。

7.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，還具備：

形成在所述第3樹脂層上的第1、第2、第3、第4以及第5開口部；

第1焊錫凸塊，其形成于所述第1開口部，與所述第1平衡信號傳輸路徑的信號輸出輸入端電連接；

第2焊錫凸塊，其形成于所述第2開口部，與所述第2平衡信號傳輸路徑的信號輸出輸入端電連接；

第3焊錫凸塊，其形成于所述第3開口部，與所述不平衡信號傳輸路徑的信號輸入輸出端電連接；

第4焊錫凸塊，其形成于所述第4開口部，與所述第1平衡信號傳輸路徑的接地端電連接；以及

第5焊錫凸塊，其形成于所述第5開口部，與所述第2平衡信號傳輸路徑的接地端電連接。

8.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，所述第1及第2平衡信號傳輸路徑分別被配置成螺旋型。

9.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，所述第1及第2平衡信號傳輸路徑分別被配置成蜿蜒型。

10.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，所述第1及第2平衡信號傳輸路徑以及所述不平衡信號傳輸路徑通過光澤鍍覆形成。

11.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，所述第1GND層設有窗，且所述第1GND層位于包含于所述基板中的電感之上。

12.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，

所述第1及第2平衡信號傳輸路徑被設置于在所述第1樹脂層中設置的凹部。

13.根據權利要求2～4中任意一項所述的樹脂多層器件，其特征在于，所述不平衡信號傳輸路徑被設置于在所述第2樹脂層中設置的凹部。

14.根據權利要求12所述的樹脂多層器件，其特征在于，

所述不平衡信號傳輸路徑被配置成與所述第1及第2平衡信號傳輸路徑重疊的部分變少。