[發(fā)明專利]曝光裝置和光掩膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980142622.5 | 申請日: | 2009-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN102197340A | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 水村通伸 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社V技術(shù) |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G02F1/13;G02F1/1368;G03F1/08;H01L21/027 |
| 代理公司: | 上海市華誠律師事務(wù)所 31210 | 代理人: | 徐申民 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 曝光 裝置 光掩膜 | ||
1.一種曝光裝置,其為在一個方向上搬送被曝光體,并隔著光掩膜對所述被曝光體間歇地照射光源光,對應(yīng)于形成于所述光掩膜的多個掩膜圖案在所述被曝光體上形成曝光圖案的曝光裝置,其特征在于,
所述光掩膜,在形成于透明基板的一表面的遮光膜上,并在所述被曝光體的搬送方向的前后形成由要求分辨率不同的兩種掩膜圖案構(gòu)成的兩個掩膜圖案群,在所述透明基板的另一表面形成微透鏡,該微透鏡對應(yīng)于所述要求分辨率不同的兩種掩膜圖案中要求分辨率高的一方的掩膜圖案,將該一方的掩膜圖案縮小投影于所述被曝光體上,所述光掩膜配置為所述微透鏡側(cè)為所述被曝光體側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置,其特征在于,
所述要求分辨率高的一方的掩膜圖案所構(gòu)成的掩膜圖案群,具有在與所述被曝光體的搬送方向大致正交的方向上、由所述多個掩膜圖案以規(guī)定間隔排列為一直線狀而形成的多個掩膜圖案列,所述多個掩膜圖案列之中的后續(xù)的掩膜圖案列形成為在所述多個掩膜圖案的所述排列方向上分別錯開規(guī)定尺寸,以使得位于所述被曝光體的搬送方向最下游側(cè)的所述掩膜圖案列所形成的多個曝光圖案的間隙能夠通過后續(xù)的掩膜圖案列所形成的多個曝光圖案補完。
3.如權(quán)利要求2所述的曝光裝置,其特征在于,
所述被曝光體為液晶顯示裝置的TFT用基板;
所述要求分辨率不同的兩種掩膜圖案中,所述一方的掩膜圖案為薄膜晶體管的電極布線圖案,另一方的掩膜圖案為向所述薄膜晶體管提供信號的信號布線圖案;
形成所述電極布線圖案和所述信號布線圖案使得所述電極布線圖案的曝光圖案和所述信號布線圖案的曝光圖案相互連接。
4.一種光掩膜,其特征在于,
在形成于透明基板的一表面的遮光膜上,橫向排列形成有由要求分辨率不同的兩種掩膜圖案構(gòu)成的兩個掩膜圖案群,在所述透明基板的另一表面形成微透鏡,該微透鏡對應(yīng)于所述要求分辨率不同的兩種掩膜圖案中要求分辨率高的一方的掩膜圖案,將該一方的掩膜圖案縮小投影于被相對配置的被曝光體上。
5.如權(quán)利要求4所述的光掩膜,其特征在于,
所述要求分辨率高的一方的掩膜圖案構(gòu)成的掩膜圖案群,包括由所述多個掩膜圖案以規(guī)定間隔排列成一直線狀而形成的多個掩膜圖案列,相對于任意一個掩膜圖案列其他掩膜圖案列在所述多個掩膜圖案的所述排列方向分別錯開規(guī)定尺寸。
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G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
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