[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980140737.0 | 申請(qǐng)日: | 2009-10-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102187470A | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高橋明久;石橋曉;中村久三 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社愛發(fā)科 |
| 主分類號(hào): | H01L31/04 | 分類號(hào): | H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 陳萬(wàn)青;王珍仙 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽(yáng)能電池 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的制造方法。
本申請(qǐng)基于2008年10月17日在日本申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2008-268787號(hào)主張優(yōu)先權(quán),在此引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)
太陽(yáng)光所包含的稱為光子的能量粒子撞擊i層時(shí),通過光生伏打效應(yīng)產(chǎn)生電子和空穴(hole),電子向n層移動(dòng),空穴向p層移動(dòng)。通過該光生伏打效應(yīng)產(chǎn)生的電子由上部電極和背面電極取出,從而將光能轉(zhuǎn)換為電能的元件為太陽(yáng)能電池。
圖10為非晶硅太陽(yáng)能電池的截面簡(jiǎn)圖。太陽(yáng)能電池100層壓有構(gòu)成表面的玻璃基板101、在玻璃基板101上設(shè)置的由氧化鋅類透明導(dǎo)電膜形成的上部電極103、由非晶硅構(gòu)成的頂部單元105、在頂部單元105與下述的底部單元109之間設(shè)置的由透明導(dǎo)電膜形成的中間電極107、由微晶硅構(gòu)成的底部單元109、由透明導(dǎo)電膜形成的緩沖層110和由金屬膜形成的背面電極111(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
頂部單元105由p層(105p)、i層(105i)和n層(105n)的三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。其中,i層(105i)由非晶硅形成。此外,底部單元109也與頂部單元105一樣,由p層(109p)、i層(109i)和n層(109n)的三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。其中,i層(109i)由微晶硅構(gòu)成。
在這種太陽(yáng)能電池100中,從玻璃基板101側(cè)入射的太陽(yáng)光通過上部電極103、頂部單元105(p-i-n層)和緩沖層110,被背面電極111反射。為了提高太陽(yáng)能電池的光能轉(zhuǎn)換效率,實(shí)施了以在背面電極111反射太陽(yáng)光,或使入射到上部電極101的太陽(yáng)光的光路延伸的棱鏡效應(yīng)和光約束效應(yīng)為目的而設(shè)置被稱為紋理的結(jié)構(gòu)等方法。緩沖層110的目的在于防止背面電極111所使用的金屬膜的擴(kuò)散等(例如參照專利文獻(xiàn)2、3)。
根據(jù)太陽(yáng)能電池的裝置結(jié)構(gòu),用于光生伏打效應(yīng)的波長(zhǎng)頻帶不同。然而,不管是哪一種,都對(duì)構(gòu)成上部電極的透明導(dǎo)電膜要求為了在i層吸收而使光透過的性質(zhì)和取出通過光生伏打產(chǎn)生的電子的導(dǎo)電性。因此,使用向SnO2添加氟作為雜質(zhì)的FTO、ZnO類氧化物半導(dǎo)體薄膜。在緩沖層也要求了為了在i層吸收而使背面電極反射的光和被背面電極反射的光透過的性質(zhì)和用于向背面電極移動(dòng)空穴的導(dǎo)電性。
用于太陽(yáng)能電池的透明導(dǎo)電膜所要求的特性大體分為導(dǎo)電性、光學(xué)特性和紋理結(jié)構(gòu)三個(gè)要素。其中,對(duì)于第一的導(dǎo)電性,為了輸出產(chǎn)生的電,而要求低電阻。通常太陽(yáng)能電池用透明導(dǎo)電膜使用的FTO在經(jīng)CVD制作的透明導(dǎo)電膜中向SnO2添加F,從而F置換O而得到導(dǎo)電性。此外,作為后ITO高度引起關(guān)注的ZnO類材料可經(jīng)濺射成膜,通過氧缺陷以及向ZnO添加包含Al或Ga的材料而得到導(dǎo)電性。
第二,太陽(yáng)能電池用透明導(dǎo)電膜由于主要在入射光側(cè)使用,所以要求透過被發(fā)電層吸收的波長(zhǎng)頻帶的光學(xué)特性。
第三,為了在發(fā)電層有效地吸收太陽(yáng)光而需要使光散射的紋理結(jié)構(gòu)。通常,由于在濺射工序中制作的氧化銦類(例如In2O3)、氧化鋅類(例如ZnO)或氧化錫類(例如SnO2)的各薄膜為了使太陽(yáng)能電池吸收的區(qū)域的波長(zhǎng)散射而為平整的表面狀態(tài),所以有必要通過濕式蝕刻等進(jìn)行的紋理形成處理。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平2-164077號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開平11-68131號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本特開2003-110125號(hào)公報(bào)
然而,即使在氧化銦類、氧化鋅類或氧化錫類的各薄膜成膜后,進(jìn)行通過濕式蝕刻等方法形成紋理的方法,由于上述薄膜進(jìn)行各向同性蝕刻的趨勢(shì)高,所以如要形成凹凸形狀優(yōu)先的紋理則極其不合適,存在生產(chǎn)率低的問題。
發(fā)明內(nèi)容
因而,本發(fā)明的目的在于,提供一種提高形成紋理的生產(chǎn)率的太陽(yáng)能電池的制造方法。
本發(fā)明一個(gè)方式中的太陽(yáng)能電池的制造方法為位于光入射側(cè)的輸出功率的上部電極包含以銦(In)、鋅(Zn)和錫(Sn)中的任意一種作為基本構(gòu)成元素的透明導(dǎo)電膜的太陽(yáng)能電池的制造方法,該方法具備使用濕式蝕刻法在形成所述透明導(dǎo)電膜的透明基板的表面形成紋理的工序A,在所述工序A中,在形成所述紋理時(shí),在所述透明基板上形成金屬薄膜,將該金屬薄膜作為掩模進(jìn)行各向異性蝕刻。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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