[發明專利]太陽能電池的制造方法無效
| 申請號: | 200980140737.0 | 申請日: | 2009-10-15 |
| 公開(公告)號: | CN102187470A | 公開(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發明(設計)人: | 高橋明久;石橋曉;中村久三 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛發科 |
| 主分類號: | H01L31/04 | 分類號: | H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 陳萬青;王珍仙 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池的制造方法,為位于光入射側的輸出功率的上部電極包含以銦(In)、鋅(Zn)和錫(Sn)中的任意一種作為基本構成元素的透明導電膜的太陽能電池的制造方法,其特征在于,該方法具備:
使用濕式蝕刻法在形成所述透明導電膜的透明基板的表面形成紋理的工序A,
在所述工序A中,在形成所述紋理時,在所述透明基板上形成金屬薄膜,將該金屬薄膜作為掩模進行各向異性蝕刻。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于,進一步具備工序B,在所述工序A之后,對由所述透明導電膜的形成材料制成的靶施加濺射電壓,同時在該靶的表面產生水平磁場來進行濺射,在所述透明基板上形成所述透明導電膜,從而形成所述上部電極,
所述透明導電膜的所述形成材料以銦(In)、鋅(Zn)和錫(Sn)中的任意一種作為主要成分。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制造方法,其特征在于,進一步具備工序B,在所述工序A之后,對由所述透明導電膜的形成材料制成的靶施加濺射電壓,同時在所述靶的表面產生水平磁場來進行濺射,在所述透明基板上形成所述透明導電膜,從而形成所述上部電極,
所述形成材料以所述銦、所述鋅和所述錫中的至少一種以及氧(O)作為主要成分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





