[發(fā)明專利]濺射裝置、薄膜形成方法以及場效應(yīng)晶體管的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980140705.0
• 申請日: 2009-10-14
• 公開（公告）號: CN102187010A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 倉田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彥;石橋曉;齋藤一也
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社愛發(fā)科
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京華夏正合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11017
• 代理人: 韓登營

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在基板上形成薄膜的濺射裝置、使用該濺射裝置的薄膜形成方法以及場效應(yīng)晶體管的制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，在基板上形成薄膜的工序中一般使用濺射裝置。濺射裝置具有濺射靶(下面也會稱為“靶”)與等離子體產(chǎn)生裝置，其中，濺射靶配置在真空槽的內(nèi)部，等離子體產(chǎn)生裝置用于使濺射靶的表面附近產(chǎn)生等離子體。在濺射裝置中，用等離子體中的離子對濺射靶的表面進(jìn)行轟擊，使從該濺射靶上被激起的粒子(濺射粒子)淀積在基板上從而形成薄膜(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本發(fā)明專利公開公報(bào)特開2007-39712號

發(fā)明內(nèi)容

通過濺射法形成的薄膜(下面稱為濺鍍膜)，由于從濺射靶飛來的粒子以較高的能量入射到基板的表面，因而，與通過真空蒸鍍法等形成的薄膜相比，薄膜與基板之間的緊密性(貼合性)較好。然而，用于形成濺鍍膜的襯底層(襯底膜或者襯底基板)和入射的濺射粒子之間的碰撞會使襯底層容易受到損傷。例如，在用濺射法形成薄膜晶體管的活性層時，由于襯底層受到損傷而有時不能獲得所期望的特性。

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供能夠降低襯底層受到的損傷的濺射裝置、薄膜形成方法以及場效應(yīng)晶體管的制造方法。

解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

本發(fā)明一個實(shí)施方式的濺射裝置用于使基板的被處理面上形成薄膜，具有：真空槽、支承部、濺射靶、等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)。

真空槽能夠維持在真空狀態(tài)。

支承部配置在所述真空槽的內(nèi)部，用于支承所述基板。

濺射靶平行于被所述支承部支承的所述基板的被處理面配置且具有濺射面。

等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)用于產(chǎn)生等離子體，該等離子體對所述濺射面進(jìn)行轟擊而使該濺射面上形成有濺射粒子射出的濺射區(qū)域，并且，該等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)使所述濺射區(qū)域在與所述被處理面相正對著的第1位置以及不與所述被處理面相正對著(斜對著)的第2位置間移動。

本發(fā)明一個實(shí)施方式的薄膜形成方法為；

將具有被處理面的基板配置在真空槽內(nèi)，

產(chǎn)生用于轟擊濺射靶的等離子體，

使所述濺射靶的濺射區(qū)域在不與所述被處理面相正對著的第1位置以及與所述被處理面相正對著的第2位置間移動。

本發(fā)明一個實(shí)施方式的場效應(yīng)晶體管的制造方法為；

在基板上形成柵極絕緣膜，

將所述基板配置在真空槽的內(nèi)部，該真空槽配置有具有In-Ga-Zn-O系組分的濺射靶，

產(chǎn)生用于轟擊所述濺射靶的等離子體，

使使所述濺射靶的濺射區(qū)域在不與所述被處理面相正對著的第1位置以及與所述被處理面相正對著的第2位置間移動，在所述柵極絕緣膜上形成活性層。

附圖說明

圖1為表示第1實(shí)施方式的真空處理裝置的俯視圖；

圖2為表示保持機(jī)構(gòu)的俯視圖；

圖3為表示第1濺射室的俯視圖；

圖4為表示濺射處理的形態(tài)的示意圖；

圖5為表示基板處理過程的流程圖；

圖6為表示實(shí)驗(yàn)中所使用的濺射裝置的附圖；

圖7為表示由實(shí)驗(yàn)而得到的薄膜的膜厚分布的附圖；

圖8為為了說明濺射粒子的入射角的附圖；

圖9為表示由使用而得到的薄膜的成膜速度的附圖；

圖10為表示實(shí)驗(yàn)中所制造出的薄膜晶體管的各試樣在200℃條件下進(jìn)行退火處理時的開路電流特性以及閉路電流特性的附圖；

圖11為表示實(shí)驗(yàn)中所制造出的薄膜晶體管的各試樣在400℃條件下進(jìn)行退火處理時的開路電流特性以及閉路電流特性的附圖；

圖12為表示第2實(shí)施方式的第1濺射室的俯視圖。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明一個實(shí)施方式的濺射裝置用于使基板的被處理面上形成薄膜，具有：真空槽、支承部、濺射靶、等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)。

真空槽能夠維持在真空狀態(tài)。

支承部配置在所述真空槽的內(nèi)部，用于支承所述基板。

濺射靶平行于被所述支承部支承的所述基板的被處理面配置且具有濺射面。

等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)用于產(chǎn)生等離子體，該等離子體對濺射面進(jìn)行轟擊而使該濺射面上形成有濺射粒子射出的濺射區(qū)域，并且，該等離子體產(chǎn)生機(jī)構(gòu)使濺射區(qū)域在不與被處理面相正對著(即濺射區(qū)域位于被處理面外側(cè))的第1位置以及與被處理面相正對著的第2位置間移動。