[發明專利]濺射裝置、薄膜形成方法以及場效應晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 200980140705.0
• 申請日: 2009-10-14
• 公開（公告）號: CN102187010A
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 倉田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彥;石橋曉;齋藤一也
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所(普通合伙) 11017
• 代理人: 韓登營

1.一種濺射裝置，用于使基板的被處理面上形成薄膜，其特征在于，包括：

真空槽，其能夠維持在真空狀態；

支承部，其配置在所述真空槽的內部，用于支承所述基板；

濺射靶，其平行于被所述支承部支承的所述基板的被處理面配置且具有濺射面；

等離子體產生機構，其用于產生等離子體，該等離子體對所述濺射面進行轟擊而使該濺射面上形成有濺射粒子射出的濺射區域，并且，該等離子體產生機構使所述濺射區域在不與所述被處理面相正對著的第1位置以及與所述被處理面相正對著的第2位置間移動。

2.根據權利要求1所述的濺射裝置，其特征在于，

所述等離子體產生機構包括用于在所述濺射靶的所述濺射面一側形成磁場的磁體，

所述磁體的配置位置能夠相對于所述支承部移動。

3.根據權利要求2所述的濺射裝置，其特征在于，

所述濺射面具有不與所述被處理面相正對著的第1區域以及與所述被處理面相正對著的第2區域，

所述磁體的配置位置能夠在所述第1區域與所述第2區域間移動。

4.根據權利要求2所述的濺射裝置，其特征在于，

所述濺射靶與所述磁體保持共同移動。

5.一種薄膜形成方法，其特征在于，

將具有被處理面的基板配置在真空槽內，

產生用于轟擊濺射靶的等離子體，

使所述濺射靶的濺射區域在不與所述被處理面相正對著的第1位置以及與所述被處理面相正對著的第2位置間移動。

6.一種場效應晶體管的制造方法，其特征在于，

在基板上形成柵極絕緣膜，

將所述基板配置在真空槽的內部，該真空槽配置有具有In-Ga-Zn-O系組分的濺射靶，

產生用于轟擊所述濺射靶的等離子體，

使所述濺射靶的濺射區域在不與所述被處理面相正對著的第1位置以及與所述被處理面相正對著的第2位置間移動，在所述柵極絕緣膜上形成活性層。