[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電膜蝕刻劑

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980139930.2
• 申請日: 2009-11-12
• 公開（公告）號: CN102177219A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李錫重;樸忠雨;李泰亨
• 申請（專利權(quán)）人: 韓國泰科諾賽美材料株式會社
• 主分類號: C09K13/00
• 分類號: C09K13/00;C09K13/04
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種透明導(dǎo)電膜蝕刻劑，所述導(dǎo)電膜為微細圖案并在平板顯示器(FPD，F(xiàn)lat?Panel?Display)的制作工序中用于制作透明電極。

背景技術(shù)

透明導(dǎo)電膜是廣泛應(yīng)用于薄膜晶體管液晶顯示器、等離子體平板顯示器、電致發(fā)光顯示器等中的薄膜。為了在上述平板顯示裝置中形成透明導(dǎo)電膜，需要蝕刻工序以形成所需要的微細圖案。

此時使用的透明電極膜包括氧化銦錫膜、氧化銦鋅膜和氧化鋅膜，上述氧化銦錫膜、氧化銦鋅膜和氧化鋅膜用于在保護膜的上部形成氧化銦錫膜、氧化銦鋅膜和氧化鋅膜，然后以光刻膠作掩膜涂布之后，蝕刻氧化銦錫膜、氧化銦鋅膜和氧化鋅膜。

目前使用的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑有：鹽酸·硝酸的混合水溶液(王水)、鹽酸·醋酸的混合水溶液、氯化鐵水溶液、尿酸水溶液、磷酸水溶液、乙二酸(草酸)水溶液等。但是現(xiàn)有的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑發(fā)現(xiàn)有如下問題。

首先，鹽酸·硝酸混合水溶液(王水)和鹽酸·醋酸混合水溶液盡管蝕刻速度快并且穩(wěn)定，但由于鹽酸或硝酸的揮發(fā)，蝕刻劑組合物的成分量變化很大，因此，發(fā)煙(fume)現(xiàn)象嚴重，污染作業(yè)環(huán)境，而且對薄膜晶體管液晶顯示器的薄膜晶體管制作工序中用作電極材料的銅及銅合金造成侵蝕。

第二，氯化鐵水溶液雖然蝕刻速度快并且安全，但相比較而言側(cè)面蝕刻量大并且引發(fā)鐵的污染。

第三，尿酸水溶液的側(cè)面蝕刻量小且蝕刻性能較好，但溶液的經(jīng)時變化很大。

第四，磷酸水溶液侵蝕銅膜，銅合金膜，鉬膜，鉬合金膜或其層積的多層膜，并且對透明導(dǎo)電膜中的氧化銦錫膜的蝕刻造成阻礙。

第五，乙二酸(草酸)水溶液蝕刻性能穩(wěn)定并且不會發(fā)生經(jīng)時變化，因此是比較好的蝕刻劑，但是在蝕刻時容易產(chǎn)生殘渣，而且蝕刻溶液在使用后，蝕刻設(shè)備的內(nèi)側(cè)產(chǎn)生殘留物(乙二酸結(jié)晶物)。

發(fā)明內(nèi)容

要解決的技術(shù)問題

目前的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑存在有如下缺點：在使用鹽酸·硝酸混合水溶液(王水)、鹽酸·醋酸水溶液、氯化鐵水溶液、尿酸水溶液、磷酸水溶液、乙二酸水溶液等透明導(dǎo)電膜蝕刻劑時，有側(cè)面蝕刻現(xiàn)象、經(jīng)時變化現(xiàn)象、蝕刻時產(chǎn)生殘渣現(xiàn)象以及侵蝕銅膜、銅合金膜、鉬膜、鉬合金膜或由上述膜層積的多層膜現(xiàn)象等。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種能夠進行選擇的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑。

本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑為含有抗蝕劑和經(jīng)時變化抑制劑()的水溶液，能夠完全消除現(xiàn)有透明導(dǎo)電膜蝕刻劑的缺點。尤其是本發(fā)明消除了現(xiàn)有透明導(dǎo)電膜蝕刻劑所存在的主要問題，即，蝕刻時產(chǎn)生殘渣的現(xiàn)象和侵蝕銅膜、銅合金膜、鉬膜、鉬合金膜或由上述膜層積的多層膜現(xiàn)象，能夠?qū)ν该鲗?dǎo)電膜進行選擇性圖案蝕刻。

技術(shù)方案

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種具有選擇性的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑，所述導(dǎo)電膜為微細圖案并在平板顯示器(FPD，F(xiàn)lat?Panel?Display)的制作工序中用于制作透明電極，所述透明導(dǎo)電膜蝕刻劑含有：含鹵化合物、氧化助劑、蝕刻調(diào)節(jié)劑、殘渣調(diào)節(jié)劑、抗蝕劑、經(jīng)時變化抑制劑以及水。

尤其是，本發(fā)明提供一種能夠?qū)ν该鲗?dǎo)電膜進行選擇性蝕刻圖案的蝕刻劑，能夠消除對用作薄膜晶體管電極材料的銅膜、銅合金膜、鉬膜、鉬合金膜或?qū)臃e的多層膜的侵蝕現(xiàn)象。

另外，對上述各金屬膜的厚度沒有特別的限制，可以根據(jù)需要進行適當調(diào)節(jié)。更具體地，上述銅膜的厚度可大致層積為上述鉬合金膜是指含有鎢、鈦、鈮、鉻、鉭等可與鉬一同形成合金的金屬成分的鉬膜。例如，鉬合金膜可為：鉬-鎢(Mo-W)、鉬-鈦(Mo-Ti)、鉬-鈮(Mo-Nb)、鉬-鉻(Mo-Cr)、鉬-鉭(Mo-Ta)等。上述鉬膜或鉬合金膜的層積厚度可為

本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑由0.05～15重量％的含鹵化合物、0.1～20重量％的氧化助劑、0.05～15重量％的蝕刻調(diào)節(jié)劑、0.1～15重量％的殘渣抑制劑、0.3～10重量％的抗蝕劑和使蝕刻劑為100重量％的水組成，更詳細地，本發(fā)明涉及不侵蝕銅膜、銅合金膜、鉬膜、鉬合金膜或由此層積的多層膜的透明導(dǎo)電膜蝕刻劑。

本發(fā)明的蝕刻劑中所含有的含鹵化合物為蝕刻透明導(dǎo)電膜的主要氧化劑。對上述含鹵化合物沒有特別的限定，只要能在溶液中溶解為鹵離子或多原子鹵離子的化合物即可，具體地可具有如下化學(xué)式(1)結(jié)構(gòu)。

化學(xué)式(1)

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