[發明專利]透明導電膜蝕刻劑

有效

• 申請號: 200980139930.2
• 申請日: 2009-11-12
• 公開（公告）號: CN102177219A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: 李錫重;樸忠雨;李泰亨
• 申請（專利權）人: 韓國泰科諾賽美材料株式會社
• 主分類號: C09K13/00
• 分類號: C09K13/00;C09K13/04
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶

1.一種透明導電膜蝕刻劑，其特征在于，由0.05～15重量％的含鹵化合物、0.1～20重量％的氧化助劑、0.05～15重量％的蝕刻調節劑、0.1～15重量％的殘渣抑制劑、0.3～10重量％的抗蝕劑和使整體蝕刻劑的總重量百分比為100％的水組成。

2.如權利要求1所述的透明導電膜蝕刻劑，其特征在于，所述含鹵化合物具有化學式1的結構，

化學式1：AX_m；

其中，所述化學式中的A為氫離子(H⁺)、銨離子(NH₄⁺)、鐵離子(Fe²⁺，Fe³⁺)、鋁離子(Al³⁺)或氧化數為1-3價的堿金屬離子；X為鹵素；m為A的氧化個數。

3.如權利要求2所述的透明導電膜蝕刻劑，所述含鹵化合物是由氯化氫(HCl)、氯化鋁(AlCl₃)、氟化銨(NH₄F)、碘化鉀(KI)、氯化鉀(KCl)和氯化銨(NH₄Cl)組成的組中選擇一種以上形成的化合物。

4.如權利要求1所述的透明導電膜蝕刻劑，其特征在于，所述氧化助劑由硝酸銨(NH₄NO₃)、硝酸鉀(KNO₃)、硝酸(HNO₃)、硝酸銅(Cu(NO₃))、硝酸鈉(NaNO₃)組成的組中選擇一種以上形成的化合物。

5.如權利要求1所述的透明導電膜蝕刻劑，其特征在于，所述蝕刻調節劑是由硫酸(H₂SO₄)、硫酸銨((NH₄)₂SO₄)、硫酸鈉(Na₂SO₄)、硫酸鉀(K₂SO₄)、硫酸氫銨(NH₄SO₄H)、硫酸氫鈉(NaSO₄H)、硫酸氫鉀(KSO₄H)、過硫酸銨((NH₄)₂S₂O₈)、過硫酸鈉(Na₂S₂O₈)和過硫酸鉀(K₂S₂O₈)組成的組中選擇一種以上形成的化合物。

6.如權利要求1所述的透明導電膜蝕刻劑，其特征在于，所述殘渣抑制劑具有如下化學式2的結構，

化學式2：B(CH₃COO)_n；

其中，所述化學式中的B表示氫離子(H⁺)、銨離子(NH4⁺)、鐵離子(Fe²⁺，Fe³⁺)、鋁離子(Al³⁺)或氧化數為1～3價的堿金屬離子；n是B的氧化數。

7.如權利要求6所述的透明導電膜蝕刻劑，其特征在于，所述殘渣抑制劑是由醋酸(acetic?acid)、醋酸鉀(potassium?acetate)、醋酸銨(ammonium?acetate)、醋酸鈉(sodium?acetate)、醋酸鎂(manganese?acetate)、醋酸錳(manganese?acetate)和醋酸鋅(zinc?acetate)組成的組中選擇一種以上形成的化合物。