[發明專利]環境友好型聚合物剝離組合物

無效

• 申請號: 200980139680.2
• 申請日: 2009-08-04
• 公開（公告）號: CN102216854A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發明（設計）人: 邁克爾·B·克贊斯基;湯景萱;許銘案
• 申請（專利權）人: 高級技術材料公司;先進科材股份有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30;G03F7/42;H01L21/027
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 劉慧;楊青

技術領域

本發明一般地公開了用于從微電子器件表面清除抗蝕劑和/或其它材料的非水性或半水性的組合物，以及使用該非水性或半水性的組合物清除該材料的方法。

背景技術

在制造半導體器件時，例行采用抗蝕圖案描繪半導體器件的某些區域，例如，用于圖案蝕刻及離子植入。在蝕刻或植入程序之后，抗蝕劑圖案必須清除。此外，任何抗蝕劑殘留物都必須清除。

典型地，利用氧化性或還原性等離子體灰化或用濕法清潔法清除抗蝕劑。灰化通常優選用于清除抗蝕劑，因為此方法在真空條件下進行，且其本身較不容易被污染。然而，灰化后可能形成的殘留物可能導致器件故障，因此通常有必要使用液態清潔劑在灰化后進行清潔步驟，其對該清除法附加了額外步驟，同時還附加了與液態清潔劑相關的購買、器件及清潔成本。在本領域中已知的濕法清潔劑對環境有害，在操作和處理上需要特殊的預防措施。此外，在清除過程之后，已經在晶圓表面上發現該濕法清潔劑化合物，其可能引起器件腐蝕或改變操作功能。

由新材料(如：低-k介電材料)積體，形成的微電子組件已經導致對清潔效能的新要求。同時，產品尺寸縮小也降低對臨界尺寸的變化及器件部件的破壞的忍耐度。可改變蝕刻與灰化條件，以滿足新材料的需求。同樣地，必須改變清除組合物，不僅適用于新材料，而且也符合環境條例的變化。重要地是，此清除組合物不應該對器件上的底層低-k介電材料實質上過度蝕刻，也不應實質上腐蝕金屬材料，例如，銅、鈷、鈦、鉭、釕、鎢、鋁及其合金等等。

針對這個目標，本文描述了一種改良的清除組合物，其能從基材有效清除抗蝕劑和/或其它材料。改良的組合物可在一步驟或多步驟過程中有效清除抗蝕劑，不需要等離子體蝕刻步驟。本文也闡述一種使用本文所述的清除組合物的方法。

發明內容

本發明一般地基于發現簡單的半水性或實質上非水性的清除組合物，其對于從微電子器件表面清除抗蝕劑和/或其它材料高度有效。

在一個方面中說明一種組合物，其包括以下成份、由其組成或基本上由其所組成：(a)糠醛或含糠基的化合物、(b)至少一種二元酸酯、(c)至少一種腐蝕抑制劑、及(d)水。此組合物優選用于從微電子器件表面清除抗蝕劑及其它材料。

另一個方面公開了一種組合物，其包括(a)糠醛或含糠基的化合物、(b)至少一種二元酸酯、(c)任選的至少一種腐蝕抑制劑、及(d)任選的水。此組合物優選用于從微電子器件表面清除抗蝕劑及其它材料。

另一個方面公開了一種組合物，其由或基本上由(a)糠醛或含糠基的化合物及(b)至少一種二元酸酯所組成。此組合物優選用于從微電子器件表面清除抗蝕劑及其它材料。

另一個方面說明套件，其在一個或多個容器中包含一種或多種用于形成本文所述清除組合物的試劑。

另一個方面公開了從其上具有抗蝕劑和/或其它材料的微電子器件清除該抗蝕劑和/或其它材料的方法，該方法包括使微電子器件與本文所述的組合物在充分接觸條件下接觸充分的時間，以從微電子器件上至少部分地清除該抗蝕劑和/或其它材料。

其它方面、特征與優點將可從權利要求書以及隨后的公開內容中更加了解。

發明詳述和及其優選實施方案

本發明一般地基于發現一種簡單的清除組合物，其對于從微電子器件表面清除抗蝕劑和/或其它材料具高度有效性。

為便于參考，“微電子器件”包括，但不限于，半導體基材、平面板顯示器、相變內存器件、太陽電池板與光生伏打器件，及微電子機械系統(MEMS)，其被制造用于微電子技術、集成電路或計算機芯片應用。應了解，術語“微電子器件”并無意以任何方式受到限制，且包括最終將成為微電子器件或微電子組件的任何基材。

如本文中定義，“抗蝕劑”包括，但不限于，本體抗蝕劑、硬化抗蝕劑及其組合。

本文所采用的“本體抗蝕劑”包括，但不限于，微電子器件表面上的非碳化及非植入的抗蝕劑，特別在鄰接硬化抗蝕劑外殼及其下方。

本文所采用的“硬化抗蝕劑”包括，但不限于，已經過等離子體蝕刻的抗蝕劑，例如在集成電路的后道工序(BEOL)雙金屬嵌入制程期間；已植入離子的抗蝕劑，例如在半導體晶圓的合適層中植入摻雜劑的前道工序(FEOL)期間；和/或經過任何其它的方法，從而在暴露的本體抗蝕劑表面上形成碳化或高度交聯的外殼形式。摻雜劑種類包括，但不限于，硼、砷、二氟化硼、銦、銻、鍺、碳、磷離子及其組合。