[發(fā)明專(zhuān)利]LAVACOAT型的預(yù)清潔與預(yù)熱無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200980139666.2 | 申請(qǐng)日: | 2009-09-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102171786A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 布里恩·T·韋斯特;溫德?tīng)枴ば〔┮恋?/a>;薩曼莎·潭 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/00;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
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技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例一般而言是關(guān)于使用電磁輻射束以改變材料的表面的方法。更具體的,本發(fā)明的實(shí)施例是關(guān)于在處理腔室中所用的部件的表面改變前使用電磁束的表面制備的方法。
背景技術(shù)
隨著持續(xù)以減小的尺寸來(lái)生產(chǎn)集成電路裝置,這些裝置的制造由于污染而變得更易受降低產(chǎn)量的影響。因此,生產(chǎn)集成電路裝置,尤其具有較小實(shí)體尺寸的那些集成電路裝置,需要比先前認(rèn)為所必需的更大程度地控制污染。
集成電路裝置的污染可在薄膜沉積、蝕刻或其它半導(dǎo)體生產(chǎn)處理期間,由諸如碰撞于基板上的不需要的雜散粒子的來(lái)源引起。通常,集成電路裝置的制造包括諸如物理氣相沉積(PVD)濺射腔室、化學(xué)氣相沉積(CVD)腔室、等離子體蝕刻腔室等的腔室的使用。在沉積及蝕刻處理的過(guò)程期間,材料通常從氣相冷凝至腔室中的各種內(nèi)部表面上及腔室部件上以形成位于腔室及部件表面上的固體塊狀物。經(jīng)冷凝的外來(lái)物質(zhì)積聚于表面上且傾向于在晶圓處理順序中或晶圓處理順序期間從表面分離或剝落。經(jīng)分離的外來(lái)物質(zhì)隨后可碰撞到晶圓基板及其上的裝置上并將該晶圓基板及其上的裝置污染。時(shí)常必須丟棄經(jīng)污染的裝置,從而降低了處理的制造產(chǎn)量。
為了防止已冷凝于處理腔室部件的表面上的外來(lái)物質(zhì)的分離,可紋理化這些表面以使得形成于這些表面上的冷凝外來(lái)物質(zhì)對(duì)表面的粘著力增強(qiáng)且較不可能分離及污染晶圓基板。
一種該紋理化處理將部件曝露于定向能量,其足以熔融及再成形部件表面上的材料,以形成紋理化表面。
然而,在紋理化部件之前,存在于部件表面上的沉積物以及作為紋理化處理的副產(chǎn)物而冷凝于部件表面上的有時(shí)可觀數(shù)量的再沉積金屬及金屬氧化物可影響紋理形成及在紋理化處理期間從所形成的空穴噴射出的回焊材料與部件表面的粘著力。此外,來(lái)自紋理化處理的濺潑可留下松散粘著至所涂布的金屬氧化物及仍未紋理化的表面的小片金屬,因而降低那些位置中的最終紋理的質(zhì)量。
此外,目前的紋理化處理可能不能由單程的紋理化能量束來(lái)產(chǎn)生足夠的紋理形狀及尺寸。此外,在一些狀況下,若部件表面太冷,則自部件噴射出的材料可能無(wú)法充分熔合至該表面。
因此,需要一種改良的紋理化處理。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種在由電磁束改變部件表面之前使用電磁束進(jìn)行表面制備的方法。本文所述的實(shí)施例為待紋理化的表面提供優(yōu)良預(yù)清潔而作為紋理化處理的整體部分,因而消除來(lái)自對(duì)部件的操縱或所蒸發(fā)的材料、所噴射的材料再沉積至部件表面之后清潔污染的機(jī)會(huì)。本文所述的實(shí)施例進(jìn)一步強(qiáng)化目前的紋理化方法,以包括在能量束越過(guò)待紋理化的表面上后,立即使得該通過(guò)紋理化,因而預(yù)熱表面以改良紋理形成及所噴射材料與部件表面的熔合。
在一個(gè)實(shí)施例中,提供一種對(duì)用于半導(dǎo)體處理腔室中的部件的表面提供紋理的方法。該方法包含在該部件的表面上界定多個(gè)區(qū)域、將電磁束移動(dòng)至多個(gè)區(qū)域中的第一區(qū)域、橫跨該第一區(qū)域的表面掃描該電磁束以加熱該第一區(qū)域的表面,及橫跨該第一區(qū)域的經(jīng)加熱的表面掃描該電磁束以形成特征結(jié)構(gòu)。
在另一個(gè)實(shí)施例中,提供一種對(duì)用于半導(dǎo)體處理腔室中的部件的表面提供紋理的方法。該方法包含以電磁束掃描橫跨部件表面的多個(gè)區(qū)域中的第一區(qū)域歷時(shí)第一時(shí)間周期,以預(yù)清潔該部件的該第一區(qū)域的該表面而不熔融該部件,及以該電磁束掃描橫跨該部件表面的該第一區(qū)域歷時(shí)第二時(shí)間周期,以在該部件表面的該第一區(qū)域上形成特征結(jié)構(gòu),其中該第二時(shí)間周期在該第一時(shí)間周期完成之后立即發(fā)生。
在又一個(gè)實(shí)施例中,提供一種對(duì)用于半導(dǎo)體處理腔室中的部件的表面提供紋理的方法。該方法包含以電磁束掃描橫跨該部件表面的多個(gè)區(qū)域中的第一區(qū)域歷時(shí)第一時(shí)間周期,以熔融該部件表面,及以該電磁束掃描橫跨該部件表面的該第一區(qū)域歷時(shí)第二時(shí)間周期,以在該部件表面的該第一區(qū)域上形成特征結(jié)構(gòu),其中該第二時(shí)間周期在該第一時(shí)間周期之后立即發(fā)生。
在又一個(gè)實(shí)施例中,提供一種金屬部件。該金屬部件包含具有多個(gè)特征結(jié)構(gòu)的環(huán)形主體,該等特征結(jié)構(gòu)包含形成于該環(huán)形主體中的突出及凹陷,其中該突出以極軟狀態(tài)產(chǎn)生以降低金屬的回火度且在夾持部件周?chē)钠渌糠制陂g確保部件得以軟化(yield)并保形(conform)的能力。
附圖說(shuō)明
所以,上述簡(jiǎn)介的本發(fā)明的特征可參考對(duì)本發(fā)明更具體描述的實(shí)施例進(jìn)一步理解和敘述,部分實(shí)施例示出于附圖中。然而要指出的是,附圖僅說(shuō)明本發(fā)明的典型實(shí)施例,因此不應(yīng)被視為其范圍的限制,本發(fā)明亦適用于其它具有同等功效的實(shí)施例。
圖1示出可用于實(shí)施本文所述的實(shí)施例的表面紋理化設(shè)備的示意性截面圖;
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H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





