[發明專利]LAVACOAT型的預清潔與預熱

無效

• 申請號: 200980139666.2
• 申請日: 2009-09-30
• 公開（公告）號: CN102171786A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 布里恩·T·韋斯特;溫德爾·小博伊德;薩曼莎·潭
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 柳春雷

1.一種對用于半導體處理腔室中的部件的表面提供紋理的方法，包含以下步驟：

在所述部件的所述表面上界定多個區域；

將電磁束移動至所述多個區域中的第一區域；

橫跨所述第一區域的表面掃描所述電磁束，以加熱所述第一區域的所述表面；及

橫跨所述第一區域的所述經加熱的表面掃描所述電磁束，以形成特征結構。

2.根據權利要求1所述的方法，還包含以下步驟：

將所述電磁束移動至所述多個區域中的第二區域；

橫跨所述第二區域的表面掃描所述電磁束，以加熱所述第二區域的所述表面；及

橫跨所述第二區域的所述經加熱的表面掃描所述電磁束，以形成特征結構。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述橫跨所述第一區域的表面掃描所述電磁束以加熱所述第一區域的所述表面的步驟包含以下步驟：將所述第一區域的所述表面加熱至比所述部件開始熔融、流動或經歷實質分解所處的溫度小的溫度。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的表面掃描所述電磁束以加熱所述第一區域的所述表面的步驟包含以下步驟：將所述第一區域的所述表面熔融至預定深度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的所述經加熱的表面掃描所述電磁束以形成特征結構的步驟，在橫跨所述第一區域的表面掃描所述電磁束以加熱所述第一區域的所述表面之后立即發生。

6.根據權利要求1所述的方法，還包含以下步驟：在橫跨所述第一區域的表面掃描所述電磁束以加熱所述第一區域的所述表面之前，散焦所述電磁束。

7.根據權利要求6所述的方法，還包含以下步驟：在橫跨所述第一區域的表面掃描所述電磁束以加熱所述第一區域的所述表面之后，且在橫跨所述第一區域的所述經加熱的表面掃描所述電磁束以形成特征結構之前，重新聚焦所述電磁束。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的所述表面掃描以形成特征結構的所述電磁束具有的功率密度，比橫跨所述第一區域的表面掃描以加熱所述區域的所述電磁束的功率密度大。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的表面掃描所述電磁束以加熱所述第一區域的步驟包含以下步驟：以相對于所述部件的行進速度移動所述電磁束，因此所述電磁束不熔融所述區域的所述表面而從所述表面移除污染物。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，相對于所述部件的所述行進速度介于約每秒10米到每秒100米之間。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，橫跨所述第一區域的所述經加熱的表面掃描所述電磁束以形成特征結構的步驟還包含以下步驟：以介于約每秒0.5米到約每秒4米之間的行進速度移動所述電磁束。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述部件包含選自以下材料所構成的群組的材料：鋼、不銹鋼、鉭、鎢、鈦、銅、鋁、鎳、金、銀、氧化鋁、氮化鋁、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、藍寶石(Al₂O₃)、氮化硅、氧化釔、三氧化二釔及其組合。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，所述部件包含選自以下材料所構成的群組的材料：金、銀、鋁硅、鍺、鍺硅、氮化硼、氧化鋁、氮化鋁、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、氧化釔、三氧化二釔、非聚合物及其組合。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所形成的所述等特征結構選自凹陷、突出及其組合所構成的群組。

15.一種金屬部件，包含：

主體，其具有多個特征結構，所述多個特征結構包括形成于所述主體中的突出及凹陷，其中，所述突出以極軟狀態產生，以降低金屬的回火度并且在夾持所述部件周圍的其它部分期間確保所述部件得以軟化并保形的能力。