[發(fā)明專利]基板檢測裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980138891.4 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102171806A | 公開(公告)日: | 2011-08-31 |
| 發(fā)明(設計)人: | 榎本雅幸;鷹取正夫;中村洋一 | 申請(專利權)人: | 川崎重工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 毛利群;王忠忠 |
| 地址: | 日本兵庫縣神戶市*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及用于對收容在盒內(nèi)的多個基板的收容狀態(tài)進行檢測的裝置及方法。本發(fā)明特別適用于對收容在晶片盒(FOUP)內(nèi)的多個半導體晶片的收容狀態(tài)進行檢測。
背景技術
歷來,作為對收容在晶片盒(FOUP)內(nèi)的多個晶片的收容狀態(tài)進行檢測的方法,已知有通過透射式光開關對晶片端部機械地進行掃描并通過遮光感測進行映射(mapping)的方式(遮光式傳感器掃描)。
此外,已知也有用攝影機對收容在晶片盒內(nèi)的晶片進行攝影,對其圖像進行處理來檢測晶片的收容狀態(tài)的方式。作為利用這樣的圖像的映射傳感器的手法,有取得并解析多條與晶片面垂直的2點間的亮度剖面(profile)線的方法。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2005-5347號公報;
專利文獻2:日本特表2005-520350號公報。
可是,雖然上述的遮光式傳感器掃描的映射方式是簡便的,但必須對機構部分安裝傳感器,此外,機械式掃描需要比較長的時間,而且對于凸出感測功能需要另外追加設置專用的傳感器。
在此,“凸出感測”指的是感測出收容在晶片盒內(nèi)的晶片比規(guī)定的收容位置向前方凸出的狀態(tài)。
此外,在解析從圖像取得的亮度剖面線的方法中,由于根據(jù)其峰(捕獲晶片端的反射)的位置以及間隔判定晶片的有無以及交叉晶片(cross?wafer)等,所以存在經(jīng)受不住局部的干擾的問題。
為了解決該問題,提出了一種增加亮度剖面線并進行加法,由此去除局部的干擾的影響的方法。
但是結(jié)果是在利用晶片端部的反射的圖像處理方法中,在晶片存在鍍敷劑等的附著物的情況下,存在反射率降低、無法感測反射像的情況,有與透射式的晶片檢測方式相比可靠性低的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述的現(xiàn)有技術的問題點而完成的,其目的在于提供一種能迅速且可靠地檢測盒內(nèi)的多個基板的收容狀態(tài)的基板檢測裝置及方法。
為了解決上述課題,本發(fā)明是一種用于對收容在盒內(nèi)的多個基板的收容狀態(tài)進行檢測的裝置,其特征在于,具備:準直反射板,配置在所述多個基板的旁邊;照明單元,朝向所述準直反射板呈面狀地放射光,其中,該照明單元以所述多個基板的端部位于其光路內(nèi)的方式配置;攝像單元,對通過從所述照明單元呈面狀地放射的光而在所述準直反射板上形成的、包含所述多個基板的端部的照明透射像進行攝像;以及圖像處理單元,對通過所述攝像單元取得的所述照明透射像的圖像進行處理,檢測所述多個基板的收容狀態(tài)。
優(yōu)選所述照明單元包含面光源。
優(yōu)選所述照明單元包含:點光源,朝向所述準直反射板放射光;以及回復反射板,將在所述準直反射板反射而平行化了的光朝向所述準直反射板反射。
優(yōu)選,所述點光源和所述攝像單元相互配置在大致同軸的位置。
優(yōu)選所述面光源或所述點光源包含發(fā)光二極管。
優(yōu)選所述準直反射板由拋物面鏡構成。
優(yōu)選所述準直反射板由將多個平面鏡作為整體呈大致曲面狀地組合形成的曲面鏡構成。
為了解決上述課題,本發(fā)明是一種對收容在盒內(nèi)的多個基板的收容狀態(tài)進行檢測的方法,其特征在于,照明工序,朝向配置在所述多個基板的旁邊的準直反射板,從照明單元放射面狀的光,其中,所述多個基板的端部位于其光路內(nèi);攝像工序,利用攝像單元,對通過從所述照明單元呈面狀地放射的光而在所述準直反射板上形成的、包含所述多個基板的端部的照明透射像進行攝像;以及檢測工序,利用圖像處理單元,對通過所述攝像單元取得的所述照明透射像的圖像進行處理,檢測所述多個基板的收容狀態(tài)。
優(yōu)選所述照明單元包含面光源。
優(yōu)選在所述照明工序中,在所述照明工序中,從點光源朝向所述準直反射板放射光,將在所述準直反射板反射而平行化了的光,以所述多個基板的端部位于其光路內(nèi)的方式利用回復反射板朝向所述準直反射板反射。
優(yōu)選所述點光源和所述攝像單元被相互配置在大致同軸的位置。
優(yōu)選所述面光源或所述點光源包含發(fā)光二極管。
優(yōu)選所述準直反射板由拋物面鏡構成。
優(yōu)選所述準直反射板由將多個平面鏡作為整體呈大致曲面狀地組合形成的曲面鏡構成。
附圖說明
圖1A是將本發(fā)明的一個實施方式的基板檢測裝置的概略結(jié)構和收容有多個晶片的FOUP一起進行表示的側(cè)面圖。
圖1B是將本發(fā)明的一個實施方式的基板檢測裝置的概略結(jié)構和收容有多個晶片的FOUP一起進行表示的平面圖。
圖2是表示通過在圖1A及圖1B中示出的基板檢測裝置取得的圖像的示意的圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





