[發明專利]制造薄膜晶體管的方法和裝置

無效

• 申請號: 200980138759.3
• 申請日: 2009-08-03
• 公開（公告）號: CN102177462A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發明（設計）人: 李亨燮
• 申請（專利權）人: JS光源科技有限公司
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種制造TFT的方法，包括：

在基板上形成柵電極圖案；

在所述柵電極圖案上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上順序地形成半導體層圖案和歐姆接觸層圖案；

在所述歐姆接觸層圖案上形成源電極和漏電極圖案，其中所述源電極和漏電極圖案在彼此之間相距固定間隔；以及

通過使用激光去除在所述源電極和漏電極圖案之間暴露出的歐姆接觸層圖案。

2.根據權利要求1的方法，其中所述通過使用激光去除歐姆接觸層圖案的處理包括將具有逐漸減小的激光功率的激光施加于在所述源電極和漏電極圖案之間暴露出的歐姆接觸層圖案的步驟。

3.根據權利要求1的方法，其中所述形成柵電極圖案的處理包括：

在所述基板的整個表面上形成柵電極材料；以及

通過利用激光去除所述柵電極材料的預定部分而形成預定的柵電極圖案。

4.根據權利要求1的方法，其中所述形成半導體層圖案和歐姆接觸層圖案的處理包括：

在所述柵絕緣層的整個表面上順序地形成半導體層材料和歐姆接觸層材料；以及

通過利用激光去除所述半導體層材料和歐姆接觸層材料的預定部分而形成預定的半導體層圖案和預定的歐姆接觸層圖案。

5.根據權利要求1的方法，其中所述形成源電極和漏電極圖案的處理包括：

在包括所述歐姆接觸層圖案的基板的整個表面上形成源電極和漏電極材料；以及

通過利用激光去除所述源電極和漏電極材料的預定部分而形成預定的源電極圖案和預定的漏電極圖案。

6.根據權利要求1的方法，還包括：

在包括所述源電極和漏電極圖案的基板的整個表面上形成鈍化層；以及

形成與所述源電極圖案電連接的像素電極圖案。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述形成鈍化層的處理包括在所述鈍化層中形成接觸孔以便將所述像素電極圖案與所述源電極圖案電連接的步驟；以及

其中所述形成像素電極圖案的處理包括在包括具有接觸孔的鈍化層的基板的整個表面上形成像素電極材料，以及通過利用激光去除所述像素電極材料的預定部分以形成預定的像素電極圖案的步驟。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述形成像素電極圖案的處理包括：

在所述鈍化層上形成像素電極圖案；以及

將激光施加于所述像素電極圖案以便將所述像素電極圖案與所述源電極圖案電連接。

9.一種制造TFT的方法，包括：

在基板上形成柵電極圖案；

在所述柵電極圖案上形成柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成半導體層圖案；

在所述半導體層圖案上形成源電極和漏電極圖案，其中所述源電極和漏電極圖案在彼此之間相距固定間隔；

在所述源電極和漏電極圖案上形成鈍化層；以及

形成與所述源電極圖案電連接的像素電極圖案，

其中上述的用于形成柵電極圖案、半導體層圖案、源電極和漏電極圖案、以及像素電極圖案的處理中的至少一個處理是通過在基板的整個表面上形成相應的材料，并通過使用激光從基板上去除所述相應材料的預定部分的步驟來執行的。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

與所述柵電極圖案同時地形成柵焊墊電極圖案；

與所述源電極和漏電極圖案同時地形成數據焊墊電極圖案；以及

與所述像素電極圖案同時地形成柵焊墊圖案和數據焊墊圖案。

11.根據權利要求9的方法，其中所述通過使用激光去除相應材料的預定部分的處理是通過利用具有第一寬度的第一激光從基板的第一區域中去除相應材料，并且同時利用具有第二寬度的第二激光從基板的除所述第一區域之外的第二區域中去除相應材料來執行的，其中所述第二寬度寬于所述第一寬度。

12.根據權利要求9的方法，其中所述形成像素電極圖案的處理包括：

在所述鈍化層上形成像素電極圖案；以及

將激光施加于所述像素電極圖案以便將所述像素電極圖案與所述源電極圖案電連接。