[發(fā)明專利]制造薄膜晶體管的方法和裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200980138759.3
• 申請日: 2009-08-03
• 公開（公告）號: CN102177462A
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 李亨燮
• 申請（專利權）人: JS光源科技有限公司
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

技術領域

本發(fā)明涉及制造薄膜晶體管的方法和裝置，更具體來講，本發(fā)明涉及通過激光構圖工藝對歐姆接觸層進行構圖來制造薄膜晶體管的方法和裝置，使得能夠防止半導體層損傷，并減少制造時間。

背景技術

一般來講，薄膜晶體管(下文中稱作“TFT”)可以用作對扁平型顯示設備比如液晶顯示設備或者發(fā)光顯示設備中的每一像素的操作進行控制的開關器件；或者可以用作對扁平型顯示設備中的每一像素進行驅動的驅動器件。

TFT包括柵電極、形成為與所述柵電極絕緣的半導體層、形成為具有在所述半導體層上的溝道區(qū)的源電極和漏電極、以及形成為與所述源電極或者漏電極電連接的像素電極。

對于現有技術的制造TFT的工藝，為了改善半導體層圖案(a-Si)和源/漏電極之間的導電性，在半導體層圖案和源/漏電極之間額外形成歐姆接觸層(n⁺a-Si)。在該情況下，如果所述歐姆接觸層被連接在源電極和漏電極之間，則所述歐姆接觸層起到導體的作用，由此TFT不被驅動。對于現有技術的制造TFT的工藝，在通過濕蝕刻工藝對源電極和漏電極構圖之后，通過干蝕刻工藝去除位于源電極和漏電極之間的歐姆接觸層(與TFT的溝道區(qū)對應)。在所述干蝕刻工藝期間，源電極和漏電極用作蝕刻歐姆接觸層的掩模。

然而，現有技術的制造TFT的方法具有以下缺點。

由于通過干蝕刻工藝選擇性地蝕刻歐姆接觸層，所以對于歐姆接觸層的不精確蝕刻可能導致過蝕刻的問題，由此半導體層可能因為該過蝕刻而受損。

同時，對半導體層的損傷會降低TFT的產量。

由于通過干蝕刻工藝選擇性地蝕刻歐姆接觸層，因而增加的制造時間導致生產力低下。

由于像素電極與源電極是通過光刻而電連接起來的，所以該制造工藝復雜，并且增加了制造時間，從而降低產量。

發(fā)明內容

本發(fā)明涉及制造TFT的方法和裝置，其基本上避免了由于現有技術的局限性和不足而引起的一個或多個問題。

本發(fā)明的一個方面提供了制造TFT的方法和裝置，其通過激光構圖工藝對歐姆接觸層進行構圖，從而能夠防止半導體層損傷，并減少制造時間。

本發(fā)明的另一方面提供了制造TFT的方法和裝置，其能夠簡化制造TFT陣列基板的工藝，并能夠防止半導體層損傷。

本發(fā)明的另一方面提供了制造TFT的方法和裝置，其能夠簡化對薄膜進行構圖的工藝，并能夠減少構圖時間。

本發(fā)明的另外的特征和方面將部分在隨后的描述中進行闡述，而部分則將在本領域技術人員研究下文之后變得清楚明白，或者可以通過本發(fā)明的實踐來了解。可以通過在所撰寫的說明書及其權利要求書以及所附附圖中具體指明的結構來實現和獲得本發(fā)明的目的及其他優(yōu)點。

為了實現這些及其他益處，并且根據本發(fā)明的目的，正如此處所具體體現的和概括描述的，一種制造TFT的方法包括在基板上形成柵電極圖案；在所述柵電極圖案上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上順序地形成半導體層圖案和歐姆接觸層圖案；在所述歐姆接觸層圖案上形成源電極和漏電極圖案，其中所述源電極和漏電極圖案彼此之間相距固定間隔；以及通過使用激光去除在所述源電極和漏電極圖案之間暴露出的歐姆接觸層圖案。

所述通過使用激光去除歐姆接觸層圖案的處理包括將具有逐漸減小的激光功率的激光施加于在所述源電極和漏電極圖案之間暴露出的歐姆接觸層圖案的步驟。

所述形成柵電極圖案的處理包括在所述基板的整個表面上形成柵電極材料；以及通過利用激光去除所述柵電極材料的預定部分而形成預定的柵電極圖案。

所述形成半導體層圖案和歐姆接觸層圖案的處理包括在所述柵絕緣層的整個表面上順序地形成半導體層材料和歐姆接觸層材料；以及通過利用激光去除所述半導體層材料和歐姆接觸層材料的預定部分而形成預定的半導體層圖案和預定的歐姆接觸層圖案。

所述形成源電極和漏電極圖案的處理包括在包括所述歐姆接觸層圖案的基板的整個表面上形成源電極和漏電極材料；以及通過利用激光去除所述源電極和漏電極材料的預定部分而形成預定的源電極圖案和預定的漏電極圖案。

所述方法還包括在包括所述源電極和漏電極圖案的基板的整個表面上形成鈍化層；以及形成與所述源電極圖案電連接的像素電極圖案。

所述形成鈍化層的處理包括在所述鈍化層中形成接觸孔以便將所述像素電極圖案與所述源電極圖案電連接的步驟；以及其中所述形成像素電極圖案的處理包括在包括具有接觸孔的鈍化層的基板的整個表面上形成像素電極材料，以及通過利用激光去除所述像素電極材料的預定部分以形成預定的像素電極圖案的步驟。