[發(fā)明專利]用于對襯底進行化學(xué)處理的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200980138441.5 | 申請日: | 2009-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102171798A | 公開(公告)日: | 2011-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | A.特佩;B.舒姆;D.弗蘭克;I.施沃特利希;K.瓦斯;W.施密特 | 申請(專利權(quán))人: | 肖特太陽能股份公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L21/00;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張濤;李家麟 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 襯底 進行 化學(xué) 處理 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于通過使起化學(xué)作用的液態(tài)加工介質(zhì)(Prozessmedium)與襯底的至少下側(cè)面接觸來對具有下側(cè)面、上側(cè)面和側(cè)面的優(yōu)選為片狀或板狀的襯底進行化學(xué)處理的方法,其中在形成襯底、襯底介質(zhì)與包圍襯底和襯底介質(zhì)的氣氛(Atmosph?re)之間的三重線的同時襯底相對于加工介質(zhì)運動。
背景技術(shù)
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)公知有大量用于對板狀構(gòu)件進行化學(xué)處理的連續(xù)處理方法,其中通過加工介質(zhì)產(chǎn)生與構(gòu)件的表面的化學(xué)反應(yīng)。在半導(dǎo)體工業(yè)中,這尤其是用于對尤其是光伏應(yīng)用領(lǐng)域中的半導(dǎo)體材料進行化學(xué)清洗和結(jié)構(gòu)化的蝕刻方法、對大面積和薄的硅片的化學(xué)處理。
半導(dǎo)體工業(yè)的方法主要給片材表面施加氣態(tài)加工介質(zhì)和/或液態(tài)加工介質(zhì)。
公知有如下方法:在所述方法中,給片材表面施加氣態(tài)加工介質(zhì),使得襯底的整個表面與氣態(tài)介質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。對此的示例是置于含有氫氟酸蒸汽的氣氛中,其中存在于襯底表面上的氧化層被侵蝕掉。對襯底的前側(cè)和/或后側(cè)和/或棱邊的選擇性處理利用該方法——如果可能的話——僅能不充分地進行。可以通過將襯底放置到平面底座上來部分地實現(xiàn)對防止襯底側(cè)被加工介質(zhì)浸潤(Benetzung)的不完全保護,其方式是可以在支承面的范圍內(nèi)部分地抑制對氣態(tài)介質(zhì)的施加。此外,存在對每兩個片狀襯底進行面對面定位的可能性,使得可以部分地排除兩個襯底彼此之間的接觸面被氣態(tài)加工介質(zhì)浸潤。
還公知有通過與表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的液態(tài)介質(zhì)對片材表面進行處理(WO-A-2007/073886,WO-A-2007/073887),其中通過滾動將液態(tài)介質(zhì)輸送到片材表面并且有針對性地僅僅使朝向液體的片材側(cè)被浸潤。
另外公知有如下方法:在所述方法中,使片材在細(xì)的輸送輥上運動,其中在形成從片材的棱邊朝向液體體積的向下定向的液體彎月面的情況下通過在液體表面上浸潤來產(chǎn)生液態(tài)介質(zhì)與位于下面的片材表面的接觸。在相應(yīng)的方法中,片材棱邊被排除在化學(xué)反應(yīng)之外并且最大程度地不受控制并且在此被不可再現(xiàn)地處理。
如果例如晶片的薄襯底具有側(cè)面中的損傷或缺陷,則可以在進一步的處理中確定襯底從側(cè)面出發(fā)被損傷或者有區(qū)域破裂。
從DE-A-103?13?127中可以得知一種用于在硅片的情況下防止形成短路的方法。為了加工,片材的下側(cè)以及必要時片材的棱邊被沉降到蝕刻池中。
根據(jù)WO-A-2005/093788,硅片的下側(cè)面以及側(cè)面在連續(xù)處理方法中被連貫地加工,所通過的方式是硅片在輸送輥上被運送穿過液體池。
DE-A-44?23?326涉及一種用于對晶片結(jié)構(gòu)進行背側(cè)蝕刻的方法。為此,襯底被固定在保持裝置中,以便然后給一側(cè)施加蝕刻介質(zhì)并且給另一側(cè)施加氮氣。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所基于的任務(wù)是,將之前所述類型的方法改進為使得以化學(xué)方式除去尤其是存在于側(cè)面中的缺陷,從而在進一步處理中提供破裂減低。在此,該化學(xué)處理將在連貫的連續(xù)加工中執(zhí)行,以便根據(jù)本方法經(jīng)濟地工作。
根據(jù)本發(fā)明,該任務(wù)基本上通過如下方式來解決:在避免加工介質(zhì)與襯底的上側(cè)面接觸的情況下執(zhí)行相對運動;相對于襯底與加工介質(zhì)之間的相對運動以所期望的高度在背向加工介質(zhì)流動側(cè)的側(cè)面處形成三重線;和/或在存在于加工介質(zhì)中的成分的分壓方面將氣氛調(diào)節(jié)為使得上側(cè)面保留疏水性特性或者在上側(cè)面中形成疏水性特性;和/或襯底優(yōu)選地在與加工介質(zhì)相對運動期間被以這樣的程度旋轉(zhuǎn),即使得三重線在化學(xué)處理期間從上側(cè)面與側(cè)面之間的每個棱邊或者在側(cè)面的范圍中出發(fā)。尤其是規(guī)定:在襯底的上側(cè)面與側(cè)面之間的背向加工介質(zhì)流動側(cè)的棱邊處形成三重線。
根據(jù)本發(fā)明提供一種用于對薄板狀或片狀襯底進行化學(xué)處理、尤其是對用于制造太陽能電池的襯底進行處理的方法,其中在連貫的連續(xù)處理方法中減小破裂敏感度。通過方法典型的處理,在連貫的連續(xù)處理方法中將襯底的下側(cè)面以及側(cè)面同時處理為使得通過用起化學(xué)作用的加工介質(zhì)浸潤來在一個工作步驟中僅僅進行與襯底的下側(cè)面和側(cè)面的化學(xué)反應(yīng),而不將上側(cè)面包括到化學(xué)反應(yīng)中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





